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2024年5月22日至25日，2024中国国际半导体新材料发展（太原）大会将在山西太原召开。本次大会以“探索新材料，共享新机遇”为主题，邀请半导体新材料及相关产业链的国内外著名专家学者、头部企业代表共...
奥趋光电向广大劳动者致敬，祝您五一节快乐！
2024年4月11日至14日，由浙江大学与剑桥大学共同举办的2024年下一代电子与光子学国际会议在浙江大学紫金港校区圆正启真酒店隆重召开，奥趋光电受邀参加并发表演讲。
2024年4月11日至14日，由浙江大学和剑桥大学共同主办的首届下一代电子与光子学国际会议（International Conference on Next Generation Electronic...
4月8日，奥趋光电技术（杭州）有限公司与至芯半导体（杭州）有限公司共同签署了《全面战略合作协议》，双方达成全面、深度战略合作伙伴关系。
2024年5月22日至25日，2024中国国际半导体新材料发展（太原）大会将在山西太原召开。本次大会以“探索新材料，共享新机遇”为主题，邀请半导体新材料及相关产业链的国内外著名专家学者、头部企业代表共聚一堂，分享氮化铝、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石等宽禁带半导体材料开发与应用领...
奥趋光电向广大劳动者致敬，祝您五一节快乐！
2024年4月11日至14日，由浙江大学与剑桥大学共同举办的2024年下一代电子与光子学国际会议在浙江大学紫金港校区圆正启真酒店隆重召开，奥趋光电受邀参加并发表演讲。
2024年4月11日至14日，由浙江大学和剑桥大学共同主办的首届下一代电子与光子学国际会议（International Conference on Next Generation Electronics & Photonics, INGEP2024）将浙江杭州召开。
4月8日，奥趋光电技术（杭州）有限公司与至芯半导体（杭州）有限公司共同签署了《全面战略合作协议》，双方达成全面、深度战略合作伙伴关系。
2024年1月24-26日，第38届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司将亮相本届NEPCON JAPAN，展出包括2英寸A...
具有1.3 μm间距的两端台面击穿特性显示出未掺杂Al0.6Ga0.4N沟道层的创纪录的高击穿场强约为11.5 MV/cm。对于栅漏距离为4 μm和9 μm的三端器件，测量的击穿电压分别为850 V和1500 V。
我们在AlN单晶衬底上采用MOCVD工艺实现了Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）。与AlN模板上的器件相比，AlN单晶上器件的热阻降低至1/3，从31降至10 K mm W-1，与SiC和铜散热器相当。这代表...
各向异性热传输在热传导理论和工程实践中起着关键作用，而准确测量固体材料的各向异性热导率是一个重大挑战。现有的实验技术包括光学方法和电学方法，但它们存在局限性，如对表面结构热物理性质的敏感性和依赖于多变量拟合算法。
美国国家科学基金会资助的项目旨在开发由超宽带隙半导体AlN制成的高效功率场效应晶体管（FETs）
新兴AlN基半导体电力电子和和光电器件的未来应用得到了低温非平衡外延技术支持的新兴掺杂技术的推动。本文通过低温非平衡外延掺杂技术实现了AlN的空穴浓度约为4.4×1018 cm-3，电阻率为0.045 Ω cm，电子浓度约为6×1018 cm-3，电阻率约为0.02 Ω cm，为...
本文展示了在AlN单晶衬底上，利用等离子体辅助分子束外延技术制备的具有极化诱导AlGaN p型层的超宽带隙异质结p-n二极管。电流-电压特性显示开启电压为Vbi 5.5 V，室温下最小理想因子为η≈1.63，并且在室温下实现了超过12个数量级的电流调制。
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