日本セミラボ

横浜市港北区新横浜,  神奈川県 
Japan
http://www.semilab-j.jp
  • 小間番号4513

日本セミラボでは、半導体測定装置の販売及び技術サービスをご提供させて頂いています。

  • ・キャリア・ライフタイム測定装置
  • ・分光エリプソメーター
  • ・抵抗測定器、PN判定器
  • ・トレンチ溝評価装置
  • ・全自動拡がり抵抗測定装置
  • ・キャリア濃度測定装置
  • ・水銀プローブCV-IV測定装置
  • ・金属汚染評価装置
  • ・非接触CV測定装置        
  • ・DLTSシステム


 出展製品

  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。...

  • CV測定/IV測定 特徴

    ■非接触・非破壊式CV/IVインライン測定
    ■超高感度汚染管理(E8レベル鉄濃度測定)
    ■キャリア濃度測定
    ■パタンモニター測定可能(SLモデル)
    ■PDM

    主な測定・評価項目

    ■汚染管理
    -DSPVによる拡散長測定
    -鉄濃度測定(E8レベル)

    ■膜評価
    - 電気的膜厚(CET/EOT)
    - フラットバンド電圧(VFB)
    - 界面準位等(Dit)の測定
    - リークIV測定
    - Epi抵抗率測定
    - High-k評価
    - Low-k評価

  • トレンチ形状検査装置 IR2100
    トレンチ形状検査装置IR2100は、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR(Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。 ...

  • トレンチ測定原理

    トレンチ形状検査装置では、広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調します。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から(多重)反射した光は光学干渉を起こします。干渉波形(インターフェログラム)は検出器にて観察され、これをフーリエ変換し反射率スペクトルを得ます。この反射率スペクトルは既存のFTIR解析技術に加え、各種測定アプリケーション(膜材とその構造)に対応可能なデータベース化された解析モデルを使用して、非破壊で測定対象(主に絶縁膜)の膜厚検査、トレンチ深さ測定、空孔率、ドープ濃度、TSV形状、リセス形状、アモルファス・カーボン膜厚値などを数秒で同時測定することができます。

    - パワーデバイス(SiC, Si, GaN)の
    ハイアスペクト・ディープトレンチ深さ測定
    - TSV形状検査
    - アモルファス・カーボン膜厚測定
    - DRAM キャパシタートレンチ深さ
    - CD測定
    - リセス測定
    - エピ膜のドープ濃度プロファイル測定

    特徴

    ・膜厚測定スループット:
    60 枚/ 1時間 (1パラメータ測定)
    5点測定(パターン認識ありの場合)
    ・光学系:
    プローブスポットサイズ:200x800 μm
    または 70 μm φ 
    使用赤外光波長: 0.9-20 μm 
    (NIRオプションあり)
    ・ロードポート
    FOUP, SMIF, or OC; dual
    ・ミニエンバイロメント
    Class 1000のクリーンルーム環境でClass 1対応
    ・オートメーション
    GEM 300, SEMI 300mm (IR3100, IR2500のみ), SEMI S2-0200, and CE等に準拠

  • ライフタイム測定装置 WT-2500
    ライフタイム測定装置WT-2500は、半導体業界においてキャリアのライフタイムを評価するために幅広く使用されています。u-PCD法によりシリコン・ブロックやウェハーのマイノリティキャリア・ライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 ...

  • ライフタイム測定機能(オプション含む)

    - u-PCD / キャリア・ライフタイム
    - Laser SPV / 拡散長
    - 鉄汚染による濃度測定
    - セルの電流値測定(LBIC) 
    - 反射率測定 / IQE(内部量子効率)
    - 比抵抗測定
    - シート抵抗(リーク電流、エッジアイソレーションチェック)
    - 表面パッシベーション(ケミカル処理、コロナチャージ)
    - PN判定
    - JPV(PN接合部のジャンクション・リーク電流、シート抵抗、容量)

  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。...

  • CV測定装置水銀プローブMCV530は、装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。

    CV 測定項目

    1 . 酸化膜中の電荷の評価 ( VF B )
    2 . 界面準位測定 ( Di t )
    3 . エピ層の抵抗率測定 ( ρ )
    4 . 低ドース イオン注入の部分的ドース量の評価 ( P I D )
    5 . ライフタイム測定 ( τ g )
    6 . 高/ 低 誘電材料の誘電率測定 ( ε )
    7 . 絶縁膜の信頼性試験 ( T Z D B , T D D B )

    特徴

    ■水銀プローブにより電極の形成が不要
    ■測定の再現性に優れている
      ショットキー :0.3% (1σ)
      MOS    :0.1% (1σ)
    ■ウェハー面内のマッピングが得られる
    ■水銀の交換が安全かつ容易(新開発)

  • 結晶欠陥分析装置 SIRM-300
    様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 認識可能最少パーティクル20nm...

  • 結晶欠陥分析装置SIRM-300は、シリコンウエハの結晶欠陥を検査する装置です。非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。

 追加情報

初出展/New Exhibitor
No
新製品/New Products
Yes
製品展示/Displaying Equipment
Yes
デモンストレーション/ Product Demonstrations
No
産業・技術分野/ Industries/Technologies
LED/solid state lighting, MEMS, その他/Other, 太陽光発電(PV)/Photovoltaic, パワー半導体/Power Semiconductors, 半導体/Semiconductor