法政大学 イオンビーム工学研究所

Koganei-shi,  Tokyo 
Japan
http://www.hosei.ac.jp/nano/
  • 小間番号1109

GaNパワーデバイス技術について是非ご討論ください。また、高エネルギーイオン注入の研究もご紹介しています。

世界最高耐圧のGaN自立基板上p-n接合ダイオードの技術情報展示