〇BM-T145
デバイスとプリント配線板の接続には、ワイヤボンディングやはんだボールが用いられている。一方、高速通信を目的とした配線のさらなる高密度・高集積化を達成するため、TSVによりデバイス同士を接続する3次元実装の開発が進められている。
BM-T145は、高アスペクトTSVの薄膜充填を可能とする硫酸銅めっきプロセスである。
〇Hybrid Bonding
半導体パッケージは、多端子化と小型化薄型化の要求に応える形で発展した。さらなる高性能化を目的として、仕様の異なるデバイスや異種デバイスなどを1つのパッケージに実装するシステムインパッケージの開発が進められている。
当社では、電気めっきによって析出するCuの結晶粒度を低温で制御し、物理的性質に優れ、3次元実装などの高速通信に好適な粗大Cu結晶粒プロセスを開発した。
〇BM-T145
φ10-100D ⇒ 0.2ASD-120min(5um)、230/50/80、パドル攪拌
φ10-50D ⇒ 0.2ASD-75min(3um)、230/50/80、パドル攪拌
φ20-110D ⇒ 0.4ASD-80min、250/10/80、パドル攪拌
〇Cu Direct Bonding
伝導率は誘電体共振器法により銅箔表面比導電率を測定した。