ナノメートル精度の表面形状加工法についてご紹介致します。ぜひ当社ブースまでお越しください。
・プラズマCVM加工
プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining) 加工は、数kp～⼤気圧下でのプラズマを利用したドライエッチング技術です。高密度で反応性の高いラジカルを局所的に生成し、被加工物表面原子を化学的にエッチングさせる加工法です。ウェハーの厚みばらつきに応じて局所的に加工量を制御できるため、従来加工法では不可能であった10nm以下の厚みばらつき（TTV）の抑制が可能です。Siウェハーや水晶ウェハーの加工等に実用されています。
・CARE加工
CARE(Catalyst Referred Etching)加工は、金属触媒作用を利用した純水のみを用いる原子単位の高度な加工法で、0.1nm以下の表面粗さ（RMS）を実現しています。CMP等の表面加工後の最終仕上げ加工として用いられ、SAWデバイス用のLT/LNウェハーの鏡面仕上げによる性能向上や接合デバイスのベース基板の鏡面化による接合の信頼性向上等に適用されています。
・PAP加工
PAP(Plasma Assisted Polishing)加工は、プラズマによるワーク表面の活性化現象を用いた独自の研磨で、ダイヤモンド等の硬質材料のポリッシングに特化した加工法です。従来のダイヤモンド砥粒等による機械研磨に比べて高効率で、損傷や欠陥の少ない表面を得ることができます。今後パワーデバイスとして注目されているダイヤモンドウェハーの加工等に期待されています。
・ECMP加工
ECMP(Electro-chemical Mechanical Polishing)加工は、SiCの研磨、ポリッシングにフォーカスした加工法で、CMPの代替プロセスとして開発した技術です。SiCウェハと固体電解質を用いたパッド間を通電することにより電気化学的にSiC表面を陽極酸化し、その酸化層（SiO2）を軟質の砥粒で研磨する加工法です。薬液を用いない安全で低環境負荷のプロセスで、6μm/Hrの加工レートが得られています。