独自技術SnB（スクライブ＆ブレーク）工法を用い、最先端の半導体デバイスのチップ化工程に応用した加工技術をご紹介します。
三星ダイヤモンド工業は加工技術を高精度化し、SiCパワー半導体ウエハのチップ化工程におけるウエハ切断プロセスを、同社の類似装置の約1/5のフットプリントで自動化し、SiCパワー半導体によって実現される未来社会の創造挑戦する為、SiCパワー半導体市場へ参入いたします。