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2024年4月11日至14日，由浙江大学和剑桥大学共同主办的首届下一代电子与光子学国际会议（International Conference on Next Generation Electronic...
4月8日，奥趋光电技术（杭州）有限公司与至芯半导体（杭州）有限公司共同签署了《全面战略合作协议》，双方达成全面、深度战略合作伙伴关系。
2024年1月24-26日，第38届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，...
2024年1月18-19日，奥趋光电技术（杭州）有限公司参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项——“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）”2023年项目年度会议在北...
近日，吉林省人民政府发布了《吉林省人民政府关于2023年度吉林省科学技术奖励的决定》（吉政函〔2023〕80号），其中，奥趋光电技术（杭州）有限公司与战略合作伙伴中国科学院长春光学精密机械与物理研究所...
2024年4月11日至14日，由浙江大学和剑桥大学共同主办的首届下一代电子与光子学国际会议（International Conference on Next Generation Electronics & Photonics, INGEP2024）将浙江杭州召开。
4月8日，奥趋光电技术（杭州）有限公司与至芯半导体（杭州）有限公司共同签署了《全面战略合作协议》，双方达成全面、深度战略合作伙伴关系。
2024年1月24-26日，第38届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司将亮相本届NEPCON JAPAN，展出包括2英寸A...
2024年1月18-19日，奥趋光电技术（杭州）有限公司参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项——“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）”2023年项目年度会议在北京大学中关新园召开，奥趋光电作为课题牵头单位参会。
近日，吉林省人民政府发布了《吉林省人民政府关于2023年度吉林省科学技术奖励的决定》（吉政函〔2023〕80号），其中，奥趋光电技术（杭州）有限公司与战略合作伙伴中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、楚赟精工科技（上海）有限公司合作项目“低缺陷氮化铝材料制备关键技术及其深紫外光...
12月14日，杭州市政协副主席，民革市委会主委，市审管办主任林革同志、杭州市政协港澳台侨和外事委主任孙月红同志、临平区政协社法委主任罗昌武同志、杭州市政协港澳台侨和外事委办公室副主任阎维同志等一行专程莅临奥趋光电，进行人才走访和考察调研。奥趋光电首席执行官吴亮博士、综合管理部总经...
各向异性热传输在热传导理论和工程实践中起着关键作用，而准确测量固体材料的各向异性热导率是一个重大挑战。现有的实验技术包括光学方法和电学方法，但它们存在局限性，如对表面结构热物理性质的敏感性和依赖于多变量拟合算法。
美国国家科学基金会资助的项目旨在开发由超宽带隙半导体AlN制成的高效功率场效应晶体管（FETs）
新兴AlN基半导体电力电子和和光电器件的未来应用得到了低温非平衡外延技术支持的新兴掺杂技术的推动。本文通过低温非平衡外延掺杂技术实现了AlN的空穴浓度约为4.4×1018 cm-3，电阻率为0.045 Ω cm，电子浓度约为6×1018 cm-3，电阻率约为0.02 Ω cm，为...
本文展示了在AlN单晶衬底上，利用等离子体辅助分子束外延技术制备的具有极化诱导AlGaN p型层的超宽带隙异质结p-n二极管。电流-电压特性显示开启电压为Vbi 5.5 V，室温下最小理想因子为η≈1.63，并且在室温下实现了超过12个数量级的电流调制。
具有AlN通道层的二极管和晶体管具有高击穿电压，并能在极高的温度下工作
在硅的所有替代品中，可以说AlN（氮化铝）具有最大的潜力。由于具有6 eV的带隙，它的临界电场远高于所有竞争对手，这表明它有可能在阻断电压和特定导通电阻之间实现更好的权衡。
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