上海普达特半导体设备有限公司

技术性能领先国内同业

•CIS 减薄、先进封装晶圆键合后减薄

•IGBT, BCD, MOSFET 等 功率器件晶圆制造

•SIC，GaN，InP，MEMS湿法刻蚀、清洗工艺

倍增的产能， 灵活的设计

•12”，6/8”通用平台, 6”到 8” 轻松转换

•堆叠式腔体布局，4腔/2腔 灵活配置

•伯努利、单面、双面晶圆载台灵活配置

•一体化设计，内置化学药液供应系统

设备架构创新：高性能 + 高生产力

•0.2mm 边缘控制，满足最严苛背面清洗工艺要求

•高稳定性、高回收效率的供液系统

•16腔/ 8 腔 模块化配置，灵活适配产能需求

•双子机械手，提供超高产能

面向12“ 晶圆产线各种应用

•后段 晶圆背面清洗

•后段 各种Solvent清洗， 28nm Sigma 刻蚀

•前段 RCA清洗， pre-Clean

♦减少负载效应，提高膜厚均匀性
   Reduce Loading effect，improve film uniformity
♦高深宽比沉积能力
   High aspect ratio deposition
♦高产能（125片/Batch），提高25%装载
   High throughput（125 wafer/Batch),25% More WF loaded
♦高台阶覆盖率(99%)
   High step coverage(99%)
♦热原子层沉积和等离子体原子层沉积
   Thermal ALD and  Plasma ALD
♦不掺杂 SiN和碳掺杂SiN(SiCN) 
   SiN和Carbon Doped SiN(SiCN)

技术参数
Technical Parameters

♦晶圆尺寸 12 英寸
   Wafer size 12 Inch
♦适用工艺
   Applicable process
♦适用领域    先进逻辑，3维闪存，动态存储器
   Applied field     Advanced Logic,3D NAND, DRAM

♦非掺杂/原位掺杂多晶硅工艺，低颗粒度
   Un-doped/In-situ doped Si，Low level particle
♦高产能（125片/Batch），提高25%装载
   High throughput（125 wafer/Batch），25% More WF loaded
♦低金属污染（ICPMS all<1E10 atom/c㎡）
   Low metal contamination （ICPMS all<1E10atom/c㎡）
♦Quartz boat，SiC boat可选
   Quartz boat,    SiC boat Optional
♦High thickness film 沉积（>8000Å）
   High thickness DEP（>8000Å）

技术参数
Technical Parameters
♦晶圆尺寸      12 英寸
   Wafer size   12 Inch
♦适用工艺    栅极多晶硅、浮栅&控制栅多晶硅、连接多晶硅
   Applicable     Gate Poly , Floating &Control Gate,  process Contact Poly
♦适用领域    逻辑，闪存，3维闪存，动态存储器
   Applied field   Logic, NOR flash, 3D NAND,DRAM

♦高产能（125片/Batch），低Particle
     High throughput（125 wafer/Batch），low particle
♦低金属污染（ICPMS all<1E10 atom/c㎡）
     Low metal contamination （ICPMS all<1E10atom/c㎡）
♦薄膜致密，刻蚀速率低
     High density  and low etching rate 
♦双面沉积，低变形
    Double-sided deposition, low warpage

技术参数
Technical Parameters
♦晶圆尺寸     12 英寸
    Wafer size   12 Inch
♦适用工艺     衬垫氮化硅、隔离氮化硅
    Applicable process    Pad SiN, Spacer SiN     
♦适用领域     逻辑，闪存，3维闪存，动态存储器
   Applied field   Logic, NOR flash, 3D NAND,DRAM