アドバンスト・キー・テクノロジー研究所

小金井市 中町,  東京都 
Japan
http://www.akt-lab.jp/
  • 小間番号3023


坩堝(るつぼ)を使わずに、酸化ガリウムなどの単結晶を高純度に製造する技術をご紹介します。

1.展示内容
 株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所(AKT研究所)の独自の単結晶製造技術「アドバンスト・ペデスタル法(AP法)」と「アドバンスト・フローティングゾーン法(AFZ法)」をご紹介します。
 AP法やAFZ法で製造した、酸化ガリウム(Ga2O3)のバルク単結晶や、YVO4イットリウムバナデート)単結晶のサンプルを展示します。
 酸化ガリウムは、バンドギャップが大きく、SiCやGaNの次の世代のパワー半導体(パワーデバイス)用の材料として期待が高まっています。YVO4は、固体レーザーの母材となる材料です。
 AKTの単結晶製造技術、製造装置につきましてはパネル展示や、PCの画面の動画にてご紹介します。
2.本技術が解決する課題
 センサーや半導体など、電子デバイス用の単結晶は高純度であることが求められます。しかしながらシリコンを除けば、従来の単結晶製造方法は、融液成長法にしても、エピタキシャル成長法にしても不純物や結晶欠陥の課題が克服できませんでした。
 AP法やAFZ法は、坩堝(るつぼ)を使わずに単結晶を融液成長させる方式ですので、坩堝からの不純物の混入を回避できます。
 短時間で生産性よく結晶を成長さることができますので、研究開発用の多品種小ロット生産から、量産までカバーできます。
3.より詳しくは
 事前により詳しい情報をチェックされる方は、「酸化ガリウム AKT」でご検索下さい。
 
 


 出展製品

  • 高純度単結晶製造装置
    当社の独自技術である、「アドバンスト・ペデスタル法」と「アドバンスト・フローティング法」を実装した坩堝レスで単結晶を製造する装置です。...

  • ■アドバンスト・ペデスタル法
    ペデスタル法を大幅に進化させた当社のオリジナル特許技術です。
    最大の特徴は坩堝を用いずに原材料の焼結ペレットから直接結晶を引き上げることです。
    低コストで高純度の結晶を製造することが可能です。
    坩堝を保護する必要がないため、急速な加熱・冷却が可能。
    また、純酸素ガス中で結晶成長を行うことも可能です。

    ■アドバンスト・フローティング法
    赤外線加熱フローティングゾーン(FZ)法の加熱機構を徹底的に見直し、大幅に進化させた当社のオリジナル特許技術です。
    FZ法の最大の欠点である融液の不安適性を克服し、溶融帯域を維持したまま結晶の口径を大型化できます。
    FZ法と同様に高純度の結晶を迅速に作製することが可能。純酸素ガス中で結晶成長を行うことも可能です。
  • 単結晶サンプル
    高精度固体レーザー用のイットリウムバナデート(YVO4)と、次世代パワー半導体用の酸化ガリウム(Ga2O3)です。...

  • 高精度固体レーザー用のイットリウムバナデート(YVO4)と、次世代パワー半導体用の酸化ガリウム(Ga2O3)です。

 追加情報

初出展/New Exhibitor
No
新製品/New Products
Yes
製品展示/Displaying Equipment
No
デモンストレーション/ Product Demonstrations
No
産業・技術分野/ Industries/Technologies
パワー半導体/Power Semiconductors