東京電機大学 六倉/篠田研究室

足立区,  東京都 
Japan
http://www.epi.dendai.ac.jp/labo/mut/
  • 小間番号1111


高品質化合物半導体単結晶層の成長を低コスト・低環境負荷で実現可能なスパッタエピタキシー装置をご紹介します。

本研究室では、各種化合物半導体単結晶層の多層薄膜の形成を目的とした「低コスト・マルチターゲット型スパッタエピタキシー装置」の開発を行っています。

【スパッタエピタキシー装置の開発】(特許取得済み)

 ・多品種・多層薄膜の連続形成が可能(マルチターゲット方式)

 ・単一電極方式を採用

 ・ターゲット材料を連続的に交換可能

 ・到達圧力は10 -8 Pa以下

 ・1200°Cの高温成長が可能

 ・真空チャンバーの小型化を実現

 ・低環境負荷の成長法

【Ga系ターゲットの開発】

 ・平板型Gaターゲットを実現

 ・不純物が極めて少ない

【高品質化合物半導体単結晶層の成長】

 ・GaN系・ZnO系・ZnS系化合物半導体単結晶層の成長

 ・不純物ドープ化合物半導体単結晶層の成長


 プレスリリース

  • 本研究室では、各種化合物半導体単結晶層の多層薄膜の形成を目的とした、「低コスト・マルチターゲット型スパッタエピタキシー装置」の開発を行っています。

    スパッタエピタキシー装置の開発】(特許取得済み)

    ・多品種・多層薄膜の連続形成が可能(マルチターゲット方式)・単一電極方式を採用・ターゲット材料を連続的に交換可能・到達圧力は10 -8 Pa以下・1200°Cの高温成長が可能・真空チャンバーの小型化を実現・低環境負荷の成長法

    【Ga系ターゲットの開発】

    ・平板型Ga系ターゲットを実現・不純物が極めて少ない

    【高品質化合物半導体単結晶層の成長】

    ・GaN系・ZnO系・ZnS系化合物半導体単結晶層の成長・不純物ドープ化合物半導体単結晶層の成長


 出展製品

  • 低コスト・マルチターゲット型スパッタエピタキシー装置
    各種化合物半導体単結晶層の多層薄膜の形成が可能...

  • ・多品種・多層薄膜の連続形成が可能(マルチターゲット方式)

    ・単一電極方式を採用

    ・ターゲット材料を連続的に交換可能

    ・到達圧力は10 -8 Pa以下

    ・1200°Cの高温成長が可能

    ・真空チャンバーの小型化を実現

    ・低環境負荷の成長法

  • Ga系ターゲット
    Ga・AlGa・InGaターゲットの平板化を実現...

  • ・不純物が極めて少ない

    ・様々な組成比で作製可能

  • 高品質化合物半導体単結晶層の成長
    GaN系/ZnO系/ZnS系化合物半導体単結晶層の成長・不純物ドープ化合物半導体単結晶層の成長...

  • 【これまでの成長例】

    ・ノンドープGaN/ノンドープAlGaN/ノンドープInGaN

     SiドープGaN/MgドープGaN単結晶層

    ノンドープZnO/GaドープZnO/MgO/ZnMgO単結晶層

    ノンドープZnS/AgドープZnS単結晶層


 追加情報

初出展/New Exhibitor
Yes
新製品/New Products
No
製品展示/Displaying Equipment
Yes
デモンストレーション/ Product Demonstrations
No
産業・技術分野/ Industries/Technologies
半導体/Semiconductor