半導体エネルギー研究所

厚木市,  神奈川県 
Japan
https://www.sel.co.jp/
  • 小間番号1212

SELは知的創造サイクルを実践する研究開発専門企業です

 半導体エネルギー研究所(SEL)は1980年に太陽電池の研究開発からその歴史をスタートさせました。太陽電池で培った半導体の薄膜技術を基盤とし、薄膜トランジスタを用いたディスプレイや薄膜集積回路へと研究開発テーマを発展させ、現在では結晶性酸化物半導体(Crystalline oxide semiconductor)を用いた新たなエレクトロニクス分野の開拓に注力しております。

 ニーズを先取りし、徹底的に探究し、新しい原理を見出して発明(種蒔き)。特許を取得し発明を守る(育成)。それらが量産に活用される(結実)ことで産業の発展に貢献し利益を得る(収穫)。そして、その利益を次なる研究開発に再投資する(新たな種蒔き)。この知的創造サイクルの循環が、当社の目指す「農耕型ビジネスモデル」です。

SELの基盤技術

 SELは結晶性酸化物半導体を用いたFET: OSFET®を基盤技術として、様々な研究開発を進めています。OSFET®の特長は、極小オフ電流(10-24A = yA レベル)と優れたオンオフ比(約20桁以上)です。この特徴のおかげで、OSFET®を用いたディスプレイには、低消費電力、高精細等の優れた性能があります。また、OSFET®を用いてLSIを製造することが可能です。OSFET®を用いたLSI:OSLSI®技術は、メモリ(DOSRAM、NOSRAM等)や、CPU等の様々なデバイスへの展開も可能です。

出展の見どころ

 本展示会では、結晶性酸化物半導体の特性を活かして開発した次世代製品を展示予定です。省エネ型LSI、次世代ディスプレイ等の最新技術にご関心がありましたら、ぜひブースにお越しください。

 また、各種展示品、結晶性酸化物半導体や、当社開発の有機EL材料等についてご紹介するポスター展示をいたします。技術説明員が丁寧にご説明いたしますので、当社の技術に関してご質問等ございましたらお気軽にお声かけください。

 皆様のご来場をお待ちしております。


 出展製品

  • 結晶性酸化物半導体の開発
    当社では、次世代の半導体材料として酸化物半導体に着目し、他社に先駆けて研究開発を進めてきました。その結果、CAAC (c-axis aligned crystal)という新しい結晶構造を発見し、結晶性酸化物半導体CAAC-IGZOを活性層に用いて構成したFETが類まれな特性を発現することを世界で初めて見出しました。For English, please click <More info>...

  • Development of Crystalline Oxide Semiconductor

    We have focused on oxide semiconductor as a next-generation semiconductor material, and have pioneered research and development in this field. From this work, we have found a new crystal structure for oxide semiconductor: c-axis aligned crystalline oxide semiconductor (CAAC-OS). We have also found first in the world that the FETs fabricated with CAAC-IGZO (In-Ga-Zn-O) exhibit unique characteristics.

  • 結晶性酸化物半導体を用いたメモリの開発
    当社では、結晶性酸化物半導体の電気的特徴の一つである極小オフ電流を活かしたメモリの開発を行っています。結晶性酸化物半導体を用いると、長いデータ保持時間によってリフレッシュ回数を削減し、センスアンプとセルアレイを積層することによってより小さい保持容量を実現することが可能です。DOSRAM、NOSRAM等の各種メモリタイプのみならず、待機電力の低減が重要となるエッジシステム用途のデバイス開発も進めています。 For English, please click <More info>...

  • Development of memories using crystalline oxide semiconductor

    We are developing memories utilizing the extremely off-state current that is one of the electric characteristics of crystalline oxide semiconductor. By using crystalline oxide semiconductor, the number of refreshing operation can be decreased owing to the long retention time, and smaller parasitic capacitance can be achieved by stacking cell arrays over sense amplifiers. We are developing not only memories such as DOSRAM and NOSRAM, but also devices for edge computing in which decreasing standby power is important.

  • 結晶性酸化物半導体を用いた電池保護回路の開発
    当社では、安全性の保証を第一に考え、二次電池の研究開発を行っています。結晶性酸化物半導体の電気的特徴の一つである極小オフ電流を活かして、二次電池に必須の電池保護回路を単純かつ高機能化できることを見出しました。結晶性酸化物半導体を用いた新しい電池保護回路によってモバイル機器や電気自動車などの安全性向上を目指してゆきます。For English, please click <More info>...

  • Development of battery protection circuit using crystalline oxide semiconductor

    We are researching and developing secondary batteries to secure the safety. We found that the electric characteristics of crystalline oxide semiconductor can be utilized to produce a simple and high-functional battery protection circuit, which is essential for secondary batteries. We strive to develop a novel battery protection circuit using crystalline oxide semiconductor to make mobile devices and electric automobiles safer.


 追加情報

初出展/New Exhibitor
No
新製品/New Products
No
製品展示/Displaying Equipment
Yes
デモンストレーション/ Product Demonstrations
Yes
産業・技術分野/ Industries/Technologies
半導体/Semiconductor