法政大学 イオンビーム工学研究所

小金井市,  東京都 
Japan
http://www.hosei.ac.jp/nano/
  • 小間番号1102

GaNパワーデバイス技術について是非ご討論ください。また、高エネルギーイオン注入やRBS等の研究もご紹介しています。

世界最高耐圧と高破壊耐量のGaN自立基板上p-n接合ダイオードの技術情報展示


 追加情報

初出展/New Exhibitor
No
新製品/New Products
Yes
製品展示/Displaying Equipment
No
デモンストレーション/ Product Demonstrations
No
産業・技術分野/ Industries/Technologies
パワー半導体/Power Semiconductors