日本セミラボ

横浜市港北区,  神奈川県 
Japan
http://www.semilab-j.jp
  • 小間番号4403

日本セミラボでは、半導体測定装置の販売及び技術サービスをご提供させて頂いています。

  • ・キャリア・ライフタイム測定装置
  • ・分光エリプソメーター
  • ・PL結晶欠陥検査装置
  • ・トレンチ溝評価装置
  • ・全自動拡がり抵抗測定装置
  • ・キャリア濃度測定装置
  • ・水銀プローブCV-IV測定装置
  • ・金属汚染評価装置
  • ・非接触CV測定装置             ・Epi(エピ)膜厚測定装置             ・キャリア移動度測定装置                                   
  • ・DLTSシステム
  • ・転位欠陥可視化装置  


 出展製品

  • 転位欠陥可視化装置 EnVision -インプラ・アニール後の転位欠陥評価
    15nmレベルの転位欠陥を可視化可能な半導体検査装置です。これまでプロセスエンジニアの経験と勘に頼っていたプロセス作業を、転位欠陥の可視化により定量的にプロセスの最適化が実現できます。 表面近傍では確認ができない深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。 ...

  • 特徴

    - 転位欠陥を15nmレベルで可視化。
    - 5sec/siteで転位欠陥の面内分布を可視化。
    - 深さ方向の転位欠陥の位置も特定可能
     (DTIの深さ方向ダメージの検証にも有効)

    主な測定・評価項目

    - PL法を利用した微細転位欠陥可視化装置
    - 5Sec/Site
    - 可視化限界:15nm

  • MBIR Metrology -トレンチ深さ測定装置
    パワーデバイスのディープトレンチや、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、 CD測定を可能にした装置です。 独自技術MBIR(Model Based Infrared) により、アスペクト比のトレンチの測定が可能。 また、エピ膜の膜厚測定やドープ濃度の縦方向プロファイルの測定にも対応。...

  • <特長>

    • 非接触・非破壊でHAR(1:70以上)のディープトレンチ測定が可能
    • Epi濃度プロファイル測定可能
    • ミニエンバイロンメント対応
    • SEMIスタンダード対応

    <主な評価・測定項目>

    • ディープトレンチ測定(深さ/TopCD/BottomCD)
    • エピ膜 膜厚測定
    • Epi濃度プロファイル測定
  • 分光エリプソメータ - 膜厚及び屈折率測定
    ウェハー自動搬送(4 - 12インチ対応)も対応可能です。 ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。薄膜、多層膜、エピタキシャル層の評価にご使用頂けます。...

  • <特徴>

    弊社分光エリプソメータは業界屈指の実績があり、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂いています。拡張性が高く、また、長年の経験による解析ノウハウと豊富なデータベースでお客様のニーズにお応えしています。

    <主な評価・測定項目>

    • 膜厚
    • 屈折率、消衰係数
    • Muller Matrix
    • 組成比、配向性
    • ドーパント濃度
    • 偏光解消度

    特徴

    - 測定波長範囲:193nm - 2000nm以上
    - ウェハー自動搬送機能(4 - 12インチ対応)
    - 自動測定、自動解析
    - 自動高速アライメント機能
    - 多種のサンプル基盤に対応 
     ( Sapphire, Silicon, quartz, SiCなど)
    - パターン認識
    - マイクロスポット
    - FOUP
    - SMIF
    - オープンカセット
    - Mini environment対応

  • SDI-FAaST DSPV -インライン汚染管理モニター
    世界に400台以上の実績がある非接触・非破壊で重金属汚染測定装置です。 特に鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。...

  • <特徴>
    DSPVの技術により、鉄濃度測定が8乗台で測定可能。
    <主な測定・評価項目>
    高感度・高精度で各測定結果をマッピング
    300㎜対応自動搬送機から手動機まで幅広くラインナップ
    Corona CVヘッドの追加により、絶縁膜やウェハーの電気特性の測定可能。
  • SDI-FAaST CV - 非接触・非破壊CV測定装置
    シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く 使用されています。非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。...

  • <特徴>

    • 非接触CV/IVインライン測定
    • 300㎜対応自動搬送機から手動機まで幅広くラインナップ
    • CoronaCVにより、非接触で絶縁膜やウェハーの電気特性の測定可能。
    • SPVヘッドの追加により鉄濃度等のSPV測定も可能。

    <主な測定・評価項目>

    • 表面ドープ濃度 マッピング測定
    • 深さ方向ドープ濃度 プロファイリング
    • 品質評価 (電荷漏れ評価)
    • 絶縁膜のCV測定

 追加情報

初出展/New Exhibitor
No
新製品/New Products
Yes
製品展示/Displaying Equipment
Yes
デモンストレーション/ Product Demonstrations
No
産業・技術分野/ Industries/Technologies
LED/solid state lighting, MEMS, その他/Other, 太陽光発電(PV)/Photovoltaic, プラスチック/有機/プリンテッドエレクトロニクス/Plastic/organic/flexible electronics, パワー半導体/Power Semiconductors, 半導体/Semiconductor