アドバンスト・キー・テクノロジー研究所

小金井市 中町,  東京都 
Japan
http://www.akt-lab.jp/
  • 小間番号5543

坩堝(るつぼ)を使わずに、酸化ガリウムなどの単結晶を高純度に製造する技術をご紹介します。

1.展示内容
 株式会社アドバンスト・キー・テクノロジー研究所(AKT研究所)の独自の単結晶製造技術「アドバンスト・ペデスタル法(AP法)」と「アドバンスト・フローティングゾーン法(AFZ法)」をご紹介します。
 AP法やAFZ法で製造した、酸化ガリウム(Ga2O3)のバルク単結晶や、YVO4イットリウムバナデート)単結晶のサンプルを展示します。
 酸化ガリウムは、バンドギャップが大きく、SiCやGaNの次の世代のパワー半導体(パワーデバイス)用の材料として期待が高まっています。YVO4は、固体レーザーの母材となる材料です。
 AKTの単結晶製造技術、製造装置につきましてはパネル展示や、PCの画面の動画にてご紹介します。
2.本技術が解決する課題
 センサーや半導体など、電子デバイス用の単結晶は高純度であることが求められます。しかしながらシリコンを除けば、従来の単結晶製造方法は、融液成長法にしても、エピタキシャル成長法にしても不純物や結晶欠陥の課題が克服できませんでした。
 AP法やAFZ法は、坩堝(るつぼ)を使わずに単結晶を融液成長させる方式ですので、坩堝からの不純物の混入を回避できます。
 短時間で生産性よく結晶を成長さることができますので、研究開発用の多品種小ロット生産から、量産までカバーできます。
3.より詳しくは
 事前により詳しい情報をチェックされる方は、「酸化ガリウム AKT」でご検索下さい。