島根大学 藤田・吉田研究室

松江市,  島根県 
Japan
http://ecs.riko.shimane-u.ac.jp/~fujita/
  • 小間番号4176


革新的な半導体ナノ粒子塗布プロセスによるZnOナノ粒子塗布型LED・TFTとMOCVDによるZnO薄膜技術を紹介します.

内部が単結晶である半導体ナノ粒子塗布膜は,単結晶に近い特性を示します.ここで紹介する酸化亜鉛ナノ粒子は大気中での塗布という簡易なプロセスでデバイスの作製が可能です.本出展ではこのまったく新しい半導体プロセスで作製した酸化亜鉛ナノ粒子塗布型LEDとTFTについて紹介します.また,事業化に進展したMOCVDによる酸化亜鉛薄膜の成長技術を紹介します。


 プレスリリース


 出展製品

  • 酸化亜鉛ナノ粒子を用いた塗布型近紫外LED
    世界で唯一のp型特性を示す窒素ドープ酸化亜鉛(ZnO)ナノ粒子を用いた塗布型近紫外発光ダイオード(LED)を開発しました。真空装置が不要な大気中の塗布プロセスで作製が可能で,従来のLEDのような単結晶基板やエピタキシャル成長技術が不要なため,超低コスト化と大面積化を同時に達成できます。将来は,窒化ガリウム(GaN)系LEDの代替だけでなく,様々なアプリケーションへの応用が期待できます。...

  • 発光波長は約380 nmの近紫外線です。

  • 半導体ナノ粒子層のTFT
    半導体ナノ粒子を用いた塗布型TFTを開発しています。ディスプレイの低コスト化と大型化や,LSIを作り込む基材選択肢の飛躍的な拡大を達成します。すでにZnOナノ粒子層を用い,n型とp型のTFT動作を実証しました。現在,寄生抵抗の低減を狙っていますが,その過程でZnOナノ粒子への熱拡散型ドーピングが可能であることを見出しました。ナノ粒子が持つ可能性を半導体デバイスへ組み入れることで,新しい発見を探求します。...

  • Si/SiO2バックゲート型TFT
  • MOCVDによる酸化亜鉛薄膜
    有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて窒素ドープやガリウムドープ酸化亜鉛薄膜の研究を行い,近紫外線LEDや透明導電膜,蛍光体薄膜の成長技術を開発しました。蛍光体薄膜については,低輝度の励起光に対してもバンド端発光のみを示す高品質な成膜が可能あり,大学発ベンチャーによる事業化を達成しています。...

  • 製品については,島根大学発ベンチャーS-Nanotech Co-Creationにお問い合わせください。

    https://sncc.co.jp/

    E-mail: info@sncc.co.jp