日本セミラボ

横浜市港北区,  神奈川県 
Japan
http://www.semilab-j.jp
  • 小間番号6458

日本セミラボでは、半導体測定装置の販売及び技術サービスをご提供させて頂いています。

  • ・キャリア・ライフタイム測定装置
  • ・分光エリプソメーター
  • ・PL結晶欠陥検査装置
  • ・トレンチ溝評価装置
  • ・全自動拡がり抵抗測定装置
  • ・キャリア濃度測定装置
  • ・水銀プローブCV-IV測定装置
  • ・金属汚染評価装置
  • ・非接触CV測定装置             ・Epi(エピ)膜厚測定装置             ・キャリア移動度測定装置                                   
  • ・DLTSシステム
  • ・転位欠陥可視化装置  


 出展製品

  • 結晶欠陥可視化装置 En-Vison (フォトルミネッセンス)
    結晶欠陥可視化装置では、15nmレベルの転位欠陥を可視化可能な非破壊・非接触の半導体検査装置です。これまでプロセスエンジニアの経験と勘に頼っていたプロセス作業を、転位欠陥の可視化により定量的にプロセスの最適化が実現できます。表面近傍では確認ができない深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。 FEOL(Front End of Line)におけるプロセス起因の結晶欠陥の早期検出や、新製品開発時間の短縮に不可欠な装置であり、ケミカルエッチングやX-TEMの代わりとしてご使用頂けます。...

  • 転位欠陥検査装置En-Visonの特徴

    - 転位欠陥を15nmレベルで可視化。
    - 5sec/siteで転位欠陥の面内分布を可視化。(150x180umFOV)
    - 3um焦点深度のフォーカスを深さ方向に掘り下げる事により、深さ方向の転位

      欠陥の位置も特定可能(DTIの深さ方向ダメージの検証にも有効)

  • トレンチ形状検査装置 IRシリーズ
    トレンチ形状検査装置IRシリーズは、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR(Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。...

  • 赤外光を利用した非破壊・非接触によるトレンチ形状検査装置であり、集積回路の製造で使用される誘電層とエッチング構造の厚みと均一性を、高スループット、低COO、非接触・非破壊で測定できます。IR製品シリーズの独自の技術と分析機能により、主な層測定に対して、システム校正の工数が少なくなり、基板の差異による影響がなくなります。

    測定可能な物理量:

    • パワーデバイス(SiC, Si, GaN)のハイアスペクト・ディープトレンチ深さ測定)
    • カーボン膜厚測定
    • DRAM キャパシタートレンチ深さ
    • CD測定
    • TSV形状測定
    • リセス測定
    • エピ膜のドープ濃度プロファイル測定
    • エピ膜厚測定

                                          

  • エピタキシャル膜厚測定装置EIR-2500
    エピ膜測定装置EIRシリーズでは、赤外領域の反射率測定により光学モデルを用いてエピ膜厚を更に精度良く測定することが可能になりました。一般的なFTIR機能を有している一方で、従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の測定も可能です。...

  • エピタキシャル膜厚測定装置EIR-2500は、FTIR機能と共に、赤外分光反射率計を備えた独自のエピ膜厚測定装置であり、高スループットのエピ膜厚測定を実現します。適用されるSEMI/CE規格に完全に準拠しています。EIR製品シリーズは、高性能で信頼性の高い電子機器に基づいており、装置の稼働時間を向上してメンテナンスの必要性を減らします。

    エピ膜測定装置EIR-2500の特徴とシステム仕様

    - エピ膜厚を高精度で測定

    - 遷移領域の膜厚測定

    - FTIR機能

    - 酸素濃度、炭素濃度の測定

    - 4 ~ 12 inch ウェハー対応

  • 非接触CV測定 (Cn-CV)
    Cn-CVシステムは、半導体デバイス・材料の製造プロセス管理と研究開発で使用される最新式で非接触・非破壊の電気メトロロジー装置です。この強力な測定手法では、非接触表面電位プローブ法を照射/非侵襲表面帯電と組み合わせて用いることで、半導体ウェハー、誘電体、界面の特性を示す幅広いパラメータを高精度で測定できる一方で、専用の検査試験装置を製作することに伴うコストと時間を節約できます...

  • * 表面ドープ濃度 マッピング測定

    * 深さ方向ドープ濃度 プロファイリング

    * 品質評価 (電荷漏れ評価)

    * 絶縁膜のCV測定

    ※ Si上絶縁膜CV測定(Vsb, Vfb, Qtot, Dit, EOT)も可能です。

  • ストレス測定装置 PSIシリーズ
    Siウェハー/小片の機械的応力(ストレス)に関連する双晶欠陥などの結晶欠陥の検査と可視化を行うために特別に開発されました。半導体ウェハーのストレス測定にご使用頂いています。 偏光応力イメージング(PSI)技術は、シリコンウェハーや、ウェハー状態になる前のシリコン小片を、IR光の偏光解消度の測定に基づいて分類するのに適しています。...

  • 転位欠陥
    スリップライン
    エッジ欠陥
    クラック
    双晶欠陥