東京電機大学 六倉/篠田研究室

足立区,  東京都 
Japan
http://www.epi.dendai.ac.jp/labo/mut/
  • 小間番号3975

高品質化合物半導体単結晶層の成長を低コスト・低環境負荷で実現可能なスパッタエピタキシー装置をご紹介します。

本研究室では、各種化合物半導体単結晶層の多層薄膜の形成を目的とした「低コスト・マルチターゲット型スパッタエピタキシー装置」の開発を行っています。

【スパッタエピタキシー装置の開発】(特許取得済み)

 ・多品種・多層薄膜の連続形成が可能(マルチターゲット方式)

 ・単一電極方式を採用

 ・ターゲット材料を連続的に交換可能

 ・到達圧力は10 -8 Pa以下

 ・1200°Cの高温成長が可能

 ・真空チャンバーの小型化を実現

 ・低環境負荷の成長法

【Ga系ターゲットの開発】

 ・平板型Gaターゲットを実現

 ・不純物が極めて少ない

【高品質化合物半導体単結晶層の成長】

 ・GaN系・ZnO系・ZnS系化合物半導体単結晶層の成長

 ・不純物ドープ化合物半導体単結晶層の成長

【半導体デバイスの応用】

 ・アグリフォトニクス(LED光を用いた植物栽培)

 ・ブロッコリースプラウト・メロンの栽培