ScAlMgO4（SAM）単結晶 は、米国ベル研究所で1995年、高輝度のGaN LED用結晶基板として開発されましたが、結晶作製が非常に難しく、研究が進展しませんでした。当社は、チョクラルスキー法により世界で初めて直径4″φの単結晶作成に成功しました。さらに、直径2″φでは無転位結晶の作成にも成功しました。 直径6″φ大口径技術の開発にも取り組んでいます。
SAMウエハは、LED、LD、FETなどのGaNデバイスの基板として有望です。SAMウエハ上に製造されるGaN自立基板は、自動車用途のGaNパワーデバイス用途に期待されています。
直径2″φ無転位結晶作成に成功し、格子整合するInGaNやAlGaInNの低転位テンプレートの作成の開発に着手し、窒化物半導体の作成など新しい展開にチャレンジしています。