イーヴィグループジャパン

横浜市保土ヶ谷区,  神奈川県 
Japan
https://www.evgroup.com/ja/
  • 小間番号5341


自由で大胆な発想が求められる今、All into Oneをテーマに技術革新に不可欠なEVGの3D集積化技術をご紹介します

弊社EV Group(EVG)は、半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイス、およびナノテクノロジーデバイス分野向けに、幅広い製造装置ラインナップと最先端のウェーハプロセスソリューションを提供するサプライヤーです。主力製品であるウェーハ接合装置、薄型ウェーハプロセス装置、リソグラフィ/ナノインプリントリソグラフィ(NIL)装置に加え、フォトレジストコーター、クリーナー、検査/計測装置なども取り揃え、最先端テクノロジーのリーディングカンパニーとして市場を牽引しています。

SEMICON Japan 2021のEVGブースでは、”All into One” - Moore’s Law 2.0 / イノベーション創出をもたらす3D集積化技術 - をテーマに、異なる技術・材料・デバイスの融合と3D集積を実現するEVGの各種最新ソリューションを中心にご紹介いたします。

EVGには、長年の経験と技術に裏付けられた、最先端の高精度位置合わせ技術、W2W(ウェーハ・トゥ・ウェーハ), D2W(ダイ・トゥ・ウェーハ)各種接合技術のほか、独創的且つ大胆な発想で高付加価値の新製品を実現させる多くの製造ソリューションがあります。

EVGの最先端技術・提案力でお客様の強力なパートナーとなり、製品アイデアを実現します。

是非、EVGブース(#5341)へお立ち寄りください。


 プレスリリース

  • EVG®40 NT2 が、飛躍的に向上した総合測定性能でウェーハレベル・ダイレベルのハイブリッド接合、そしてマスクレス露光の実装を加速

    MEMS、ナノテクノロジー、半導体向けのウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group(本社:オーストリア ザンクト・フローリアン、以下:EVG)は、ウェーハ・トゥ・ウェーハ(W2W)、ダイ・トゥ・ウェーハ(D2W)、そしてダイ・トゥ・ダイ(D2D)接合、およびマスクレス露光アプリケーションのオーバーレイ精度や最小線幅(CD)測定を可能にするEVG®40 NT2を発表しました。
    大量生産向けに設計されたEVG40 NT2は、フィードバック制御によるリアルタイムでのプロセス補正と最適化を可能にすることで、デバイスメーカーやファウンドリ、パッケージングハウスによる3D / ヘテロジニアス・インテグレーション製品の市場導入を加速し、高価な基板の廃棄を回避するとともに生産歩留まりの向上を支援します。

    EVGは、12月15日から17日に東京ビッグサイトで開催されるSEMICON Japanに出展し、東5ホール ブース番号5341にて様々なソリューションに加え、この新たなEVG40 NT2をご紹介します。

    新たな検査工程の需要を後押しするヘテロジニアス・インテグレーションの技術ロードマップ

    従来の2Dでのスケーリング則は多くの半導体デバイス製造に於いて性能コスト比で既に限界に達しており、半導体業界は新世代デバイスの性能を引き続き向上させる為、複数の異なる構成部品つまりフィーチャサイズや基板材料の異なるダイを個別に製造し、一つのデバイスに組立・パッケージングするヘテロジニアス・インテグレーションへと大きく舵を切っています。
    W2W、D2W、D2D接合ではいずれも相互接続されたデバイス間の良好な電気的接続を実現する為、高精度位置合わせとオーバーレイ精度が必要です。接続ピッチは製品の世代ごとに狭くなるため、ウェーハやダイ接合に於ける位置合わせとオーバーレイ・プロセスにもまた、それに応じたスケーリングが不可欠です。高精度・高頻度での測定実施によって各製造工程での問題や課題をいち早く特定し、プロセス全体の最適化や基板のリワークを可能にする事で、生産歩留まりは飛躍的に向上します。
    3D / ヘテロジニアス・インテグレーションを実現する革新的なリソグラフィ手法であるマスクレス露光では、大きな反りや歪みによってダイのシフトが生じた基板に対しても、正確なパターン忠実性とオーバーレイの要求がますます高まっています。これにはダイの位置を正確に把握する為の測定が欠かせません。

    EV Groupコーポレート・テクノロジー・ディレクターであるトーマス・グリンスナー博士は次のように述べています。『緻密なプロセス制御は、最先端の3Dおよびヘテロジニアス・インテグレーション・アプリケーションにとって今後ますます重要になります。先端パッケージング業界における新たな需要や技術要件を満たす為、EVG40NT2は測定性能の点で飛躍的な進歩を遂げました。また、オーバーレイの精度向上と同時にスループットも大幅に向上したことで、ウェーハ1枚あたりの測定密度を高め、例えばハイブリッド接合の結果に対しより詳細なフィードバックを与えることが可能になりました。この新たな計測ソリューションは、3D / ヘテロジニアス・インテグレーションに対するEVGの包括的なポートフォリオを完成させ、またMEMSや複雑なフォトニックデバイス製造に於いて、長年に渡り接合品質測定のデファクト・スタンダードとなっている既存のEVG40 NTシステムを補完します。今回発表のEVG40 NT2は、EVGのHeterogeneous Integration Competence Center™ で進行中の複数のお客様との共同開発プロジェクトで既に重要な役割を果たしています。』

    求められる総合測定性能  高精度、高速処理の両立

    現在および将来の最先端3D / ヘテロジニアス・インテグレーション・アプリケーション向け接合またリソグラフィ工程に於いて、EVG40NT2は重要なプロセス・パラメーター制御に欠かせない高精度な各種測定を可能にします。これらにはW2W、D2W、D2D接合およびマスクレス露光プロセスでのアライメント精度の検証や監視、またCD測定や多層膜厚測定を含みます。EVG40NT2は複数の測定ヘッドと高精度専用ステージを搭載した拡張性の高いシステムで、各種接合およびマスクレス露光プロセスにおけるアライメント精度を高速かつ高精度(ナノメートルオーダーの一桁台前半)で検証できるよう設計されています。アライメント精度検証の際EVG40NT2によって生成されるオーバーレイ・モデルは、ウェーハ全面でアライメント精度を向上させる為のフィードバック補正で使用され、これにより系統誤差を縮小し生産歩留まりを高める事が可能です。EVG40NT2はオーバーレイのフィードバック制御やダイ位置のフィードフォワード制御など、インダストリー4.0を活用する次世代型ファブで必要とされる複数工程でのプロセス最適化を強力にサポートします。

    製品のご購入について

    EVGは、新たに発表されたEVG40 NT2の受注を開始しています。また、オーストリア本社にあるEVGのヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンターでは、製品のデモンストレーションが可能です。詳細については、https://www.evgroup.com/ja/products/metrology/をご覧ください。

  • EVG®770NTは、拡張現実(AR)ウェーブガイド、ウェーハレベル・オプティクスや高精度バイオメディカル チップ用の複雑なマイクロ・ナノ構造の大面積マスタースタンプ製造を可能にします

    ナノテクノロジーデバイス、半導体製造向けウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group(本社: オーストリア ザンクト・フローリアン、以下: EVG)は、次世代のステップ&リピート・ナノインプリント・リソグラフィ(NIL)の新製品「EVG®770 NT」を発表しました。EVG770 NTは、拡張現実(AR)ウェーブガイド、ウェーハレベル・オプティクス(WLO)、および高精度のラボ・オン・チップデバイス(マイクロ流体デバイス)などの量産で使用される大面積マスタースタンプ製造を、マイクロ・ナノパターンの精緻な複製によって可能にします。

    より大きな面積での緻密なマスター製造がボトルネックとなり、ステップ&リピートNIL技術の更なる進歩の妨げや、生産の拡張性が制限されてしまう、という課題が従来からありました。EVG770 NTは、EVGのNIL技術やステップ&リピートマスタリングにおける数十年の経験を活かして、パフォーマンス、生産性、そしてプロセスの制御性を最大にし、量産向けに特化した装置として設計されています。業界をリードするオーバーレイ精度と分解能を兼ね備え、最大300mmのウェーハとGen-2パネルサイズまで対応し、費用対効果が高く、高度なNILパターンの再現性を量産ラインで実現する装置となっています。

    ステップ&リピートNILプロセスの利点

    NIL技術の主要な市場の一つであるWLOは、スマートフォンに搭載されたデジタルカメラのオートフォーカス機能の向上や、スマートフォンのセキュリティ用顔認証技術、AR/VR(拡張現実/仮想現実)ヘッドセットの3Dモデリングやイメージングの強化といった、モバイル家電製品向けの全く新しいアプリケーションを可能にしています。ステップ&リピートNIL装置は、費用対効果の高いWLO製造だけでなく、微細構造が必要なマイクロ流体デバイスの製造にも用いられます。電子ビームなどの技術で描かれたシングルダイのマスターモールドを使い、そのモールドを基板全体に数回複製してフルエリアのマスターテンプレートとスタンプを製作します。このステップ&リピートマスターテンプレートを使用して、ウェーハレベル、またはパネルレベルで、実際の製造で使われるワーキングスタンプを製作することができます。

    大きな基板上に大きなマスターモールドを複製する機能により、継ぎ目なしの、より大きなデバイスの製造が可能になります。このアプローチでは、ダイヤモンドターニング、レーザー/電子ビーム直描方式など、スループットが低く実装コストが高いために大きな基板にスケールアップすることが難しかった従来のマスター製作プロセスと比較して、歩留まりと製造コストに大きなメリットをもたらします。最高品質のダイを用いて、ステップ&リピートプロセスを実行することで、これらの質の高いパターン形成を製造ラインで効率的に実現します。

    EV Groupで、コーポレート・テクノロジー・ディレクターを務めるトーマス・グリンスナー(博士)は、次のように述べています。「EV Groupは、ステップ&リピート・マスタリングテクノロジーの開発と改良に10年以上の時間を費やし、幅広い市場とアプリケーションでのNIL技術の効果を普及させることに努めてきました。その集大成によって誕生したEVG770 NTは、自由曲面マイクロレンズなどの製造に必要な高精度ナノパターニングを最高のコストパフォーマンスで大量に生産することを可能にしました。この画期的なステップ&リピートソリューションにより、お客様独自のマスターテンプレートを製作することができ、従来、外部委託していた工程を省き、NILプロセスフロー全体を社内で一貫して行うことができるため、大量生産における柔軟性と条件最適化のスピードが各段に向上することが期待されます。EVGは、新製品へのNIL技術の導入を検討されたいお客様、または小規模生産をご希望のお客様向けに、NILPhotonics®コンピテンスセンター内でステップ&リピートマスタリングサービスを提供しています。NILPhotonics®コンピテンスセンターは、お客様とEVGのビジネスパートナー向けのオープンアクセスイノベーション・インキュベーターであり、革新的なフォトニックデバイスやアプリケーションの開発サイクルと市場への投入時間の短縮を実現します」

    飛躍的な進歩を遂げたパフォーマンスとスケーラビリティ

    • EVG770 NTが持つ、プロセス開発と生産の両方を支える機能:
    • 80mm x 80mmサイズまでのシングルレンズ/ダイテンプレートを最大300mmウェーハまたはGen-2(370x470mm)パネルまで継ぎ目なしで複製可能
    • 250nm以下のアライメント精度と50nm以下の分解能
    • 高額な原版の摩耗を回避。ワーキングスタンプによる大量生産プロセス
    • 露光時間を大幅に短縮する、高線量の新しい露光源
    • プロセス結果を常時検証・監視するための検査顕微鏡とライブプロセスカメラフィード
    • パーティクル汚染を最小限に抑えるための非接触エアベアリング
    • 5つのスタンプ用のストレージバッファーを備えた自動基板搬送およびスタンプ交換ユニット
    • インプリンティング力と離型力のin-situ制御と特性モニター
    • EVGの量産向けプロセス装置共通の最新CIM(Computer Integrated Manufacturing)フレームワーク・ソフトウェア・プラットフォーム

    製品のご購入について

    EVG770NTはすでに数台の納入実績がありますが、今回の発表をもって正式に受注を開始いたします。EVGオーストリア本社にあるNILPhotonics コンピテンスセンターでは、EVG770NTの実機を使ったデモンストレーションと実際にステップ&リピートマスタリングを提供するサービスを行っております。EVG770NTステップ&リピート・ナノインプリント・リソグラフィ装置の詳細については、https://www.evgroup.com/ja/products/nanoimprint-lithography/uv-nil-smartnil/evg-770/をご覧ください。

  • EVG®320 D2W – 全自動接合界面活性化 / ダイ・トゥ・ウェーハ高精度配置装置は、サードパーティーの ダイボンダーとのシームレスな統合を可能にし、3Dヘテロ集積化向けハイブリッド接合を一気通貫で 実現するEVG装置ラインアップを完結

    MEMS、ナノテクノロジーデバイス、半導体製造向けウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group(本社: オーストリア ザンクト・フローリアン、以下: EVG)は、業界初の商用ダイ・トゥ・ウェーハ(D2W)接合向けハイブリッド接合用活性化及び洗浄装置であるEVG®320 D2W を発表しました。この装置は、洗浄、プラズマ活性化、ダイアライメントの検証やその他の重要な計測機能を含むD2W接合に必要とされる全ての重要な前処理モジュールを装備し、単一のシステムとしても、またサードパーティーのピック・アンド・プレース式ダイボンダーを組み込んで使用することもできます。ハイブリッド接合技術におけるEVGの数十年にわたる経験を活かして開発されたEVG®320 D2W は、ヘテロ集積化の普及を加速化し、高帯域幅メモリ(HBM)、ロジック・オン・メモリ、チップレット、セグメント化された3Dシステム・オン・チップ(SoC)デバイス、3D積層裏面照射型CMOSイメージセンサー等の新世代デバイスやシステムの製造を可能にします。

    ハイブリッド接合はヘテロ集積化を実現するプロセス
    人工知能(AI)、自動運転、拡張/仮想現実(AR/VR)、そして5G等といった先端アプリケーションでは、生産コストを増大させることなく、高帯域幅に対応した高性能かつ低消費電力デバイスを開発することが求められています。従来の2Dシリコンスケーリングが製造コストの問題に直面し、半導体産業はヘテロ集積化による製造へと移行しつつあり、1つのデバイスもしくはパッケージ内に、さまざまなサイズ・材質による異なる部品やダイを複数集積することで、次世代デバイスの性能向上を図ろうとしています。

    異なる生産ラインで製造されたウェーハを積層して電気的に接続するウェーハ・トゥ・ウェーハ(W2W)ハイブリッド接合は、ヘテロ集積化における中心的なプロセスであり、CMOSイメージセンサーや各種メモリとロジックの統合等、特定のアプリケーションで既に実証されています。しかし、ダイが同じサイズでない場合では、D2Wによるハイブリッド接合が、ヘテロ集積化を可能にする有効な手段となります。この新しいD2W 接合と、市場をリードするW2Wハイブリッド接合から導かれる卓越した経験、及びヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンター™が 支援する業界内のコラボレーションによって、EVG は各種D2W 接合アプリケーションをサポートするための最高の体制を整えています。

    EV Groupでエグゼクティブ・テクノロジー・ディレクターを務めるPaul Lindnerは、次のように述べています。「EVGはウェーハ接合ソリューションにおいて世界最大の納入実績を備え、ウェーハ・トゥ・ウェーハでのハイブリッドおよびフュージョン接合において20年間にわたり、新たな基準を継続的に構築してきました。新興のダイ・トゥ・ウェーハ接合に対しては、既存のEVG GEMINI® FBシステムをベースに専用仕様を用意することで、市場の要求に対応を始めています。新規のEVG320 D2W全自動接合界面活性化 / ダイ・トゥ・ウェーハ高精度配置装置では、ダイ・トゥ・ウェーハ接合で培われたノウハウを付加し、ハイブリッド接合ソリューションを一気通貫で提供可能なEVGの装置ポートフォリオを完全構築することで、3D / ヘテロ集積化の展開を加速いたします。将来的には、ヘテロ集積化アプリケーション向けにウェーハ・トゥ・ウェーハとダイ・トゥ・ウェーハ両方のプロセスフローが必要になり、多くの生産工場で並行してそれらが行われるようになると予想されます。この重要かつ急成長が見込まれる技術分野に対し、EVGはより幅広くソリューションを提供できると考えています。」

    ダイ・トゥ・ウェーハ・プロセスフロー
    アプリケーションや顧客からの要件に応じて、異なるD2W接合方式が選択・利用可能です。一括式D2W(Co-D2W)接合では、個片化したダイをキャリア上に仮配置し、GEMINI FB 等のW2Wハイブリッド・フュージョン接合装置を使用して、ダイをターゲットウェーハ上に一括移送し接合を行います。一方、直接配置式D2W(DP-D2W)接合では、フリップチップボンダーを使用して、個片化したダイをターゲットウェーハ上にピック&プレース方式で1つずつ接合します。搬送用ウェーハ上に配置したダイ表面へプラズマ活性化と洗浄を行うことは、ダイを高歩留りで接合し、ターゲットウェーハとの間で良好な電気的接続を得るために欠かせないステップです。この工程でEVG320 D2W活性化システムが用いられます。

    製品の詳細
    EVG320 D2Wは、サードパーティーのピック&プレース・ダイ・ボンディング・システムとシームレスに統合可能な、ハードウェア / ソフトウェアインターフェイスを備えた非常に柔軟なプラットフォームです。また、プロセス統合およびラインバランシングの要件に応じて、単体装置として運用することもできます。このシステムには、EVGの先進的な洗浄およびプラズマ活性化技術が組み込まれています。これは、業界標準である同社のW2Wフュージョンおよびハイブリッド接合プラットフォームの応用であり、世界中で数百台の導入実績を誇るプロセスモジュールで実証済です。さらに、EVG320 D2Wは、EVGのアライメント検証モジュール(AVM)を備えています。これは、ダイの配置精度やダイの高さ情報など重要なプロセスパラメータをダイボンダーに直接フィードバックし、全体のプロセスフローを最適化する為の統合型計測モジュールです。追加機能として、プラズマ活性化ハイブリッド / フュージョン接合に必要な清浄度基準を満たし、あらゆるタイプのダイキャリアまたはフィルムフレームに対応できる柔軟な基板搬送、およびSECS / GEM標準のサポートが含まれます。

    製品の購入について
    EVGは、新EVG320 D2Wダイ・プリパレーション/活性化システムの受注を開始しています。また、オーストリア本社にあるEVGのヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンターでは、製品のデモンストレーションが可能です。詳細については、https://www.evgroup.com/ja/products/bonding/die-to-wafer-bonding-systems/evg320d2w/をご覧ください


 出展製品

  • EVG®40 NT2 自動計測システム
    3D / ヘテロジニアス・インテグレーションに対応した高速高精度測定...

  • EVG®40 NT2自動計測システムは、ウェーハ・トゥ・ウェーハ(W2W)、ダイ・トゥ・ウェーハ(D2W)、そしてダイ・トゥ・ダイ(D2D)接合、およびマスクレス露光アプリケーションのオーバーレイ精度や最小線幅(CD)測定を可能にします。 大量生産向けに設計されたEVG40 NT2は、フィードバック制御によるリアルタイムでのプロセス補正と最適化を可能にすることで、デバイスメーカーやファウンドリ、パッケージングハウスによる3D / ヘテロジニアス・インテグレーション製品の市場導入を加速し、高価な基板の廃棄を回避するとともに生産歩留まりの向上を支援します。

    Features

    • 現在および将来の最先端3D / ヘテロジニアス・インテグレーション・アプリケーション向け接合やリソグラフィ工程での重要なプロセス・パラメーター制御に不可欠な高精度な測定
      • W2W、D2W、D2D接合でのアライメント精度の検証や監視
      • マスクレス露光プロセスにおけるアライメント精度検証
      • CD測定や多層膜厚測定
    • 複数の測定ヘッドと高速・高精度(ナノメートルオーダーの一桁台前半)専用ステージを搭載した拡張性の高いシステム