Si/SiGeヘテロ構造の歪み効果により高い移動度と、キャリア供給層とキャリア走行層を分離することで低雑音、高周波動作が可能なデバイスを作製することができる。スパッタ法は有毒ガスなどを用いないので安全性が高く、原料の使用効率が高く大面積堆積が可能なことから生産性に優れている。また、スパッタエピタキシ法は生産性に優れるだけでなく、成膜温度、混晶の組成比、成膜速度をそれぞれ独立で制御できるため、成膜制御の自由度が高い。これにより急峻な界面のヘテロ接合を形成し、界面散乱を抑制すると言ったアプローチで、良好な特性の高速デバイス作製が期待できる。