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本研究室では、次世代エレクトロ二クス分野を担う基幹技術を構築するため、新しい機能半導体材料の探求やそれらを用いた光・電子デバイスの開発を行っています。具体的には人体に安全、かつ大面積基板への展開が容易なワイドバンドギャップ酸化亜鉛（ZnO）半導体を用いた『透明エレクトロニクス』の実現を目指しています。薄くて透明な電子デバイスはフレキシブルなディスプレイやウェアラブルコンピュータへの応用が期待されています。高品質なZnO半導体の形成条件を確立するとともに、透明電極や透明トランジスタの開発を進めています。本出展ではポスターが主となりますが、実物の展示も行う予定です。
本研究は、人体に無害で低温成膜が可能、透明性および電気伝導性に優れている性質を持つ酸化亜鉛(ZnO)系材料に着目して分子線エピタキシー法と原子状酸素ラジカル照射プロセスを利用した低損傷・低温成長が可能な独自のバッチおよびロール・ツー・ロール (RTR)方式成膜プロセスを用いて、フレキシブル電子デバイスに応用可能なZnO系半導体デバイスならびにその集積化技術の開発を目指します。