菱光社

非破壊でウエハ上の微細パターン部をEDXRFで自動測定するシステムです。

ポリキャピラリーレンズ Φ20µm （オプション Φ10µm）採用によりパターン部において小さな測定スポットに集束して、X線強度の高い測定が可能です。また、大型の検出窓を搭載した最新のシリコンドリフト検出器を採用する事で高い分解能により高精度な測定を実現します。

NiPやNiPd/Au構造におけるP濃度測定並びにAu膜厚測定において高い測定精度を有しており、ユーザー要望に合わせたEFEMを構築する事が可能です。

①　高輝度9.25 keV励起による圧倒的な検出深さ：

数十から百nmに及ぶ深い検出深さの最大の利点は、スパッタ等の前処理なく、埋もれた界面の化学状態が観測可能であることです。例えば最表面に電極を載せた試料の場合、電圧を印加しながら“Operando”測定で動的な化学状態変化をとらえる事が可能となります。

②　試料の角度を変えることなく深さ分解測定が可能：

＋/-30度広立体角角度分解アナライザーは試料の角度を変えることなく（深さ＊エネルギー）２次元イメージとして化学状態分布を観測する事が出来ます。例えばエネルギーを固定してスナップショット測定を行えば、深さ方向の化学状態変化を経時でとらえる事が可能です。

③　ビームタイムの制約が無い：

24時間365日、お客様のご都合に合わせた測定をタイムリーに実施する事が出来ます。

④　高い拡張性：　

マクロ／ミクロでのレビュー機能を両方搭載した装置です。

SEMI規格　200mm/300mmウェハに対応し、SiウェハだけでなくTAIKO、ガラス、リングフレーム付きウェハなどにも対応しております。

表裏反転や傾斜・回転機構により任意角度にてマクロレビューが可能です。ミクロレビューでは欠陥検査装置からの欠陥データ読込やマクロレビューの座標位置とリンクするなどの機能も搭載可能です。

ニーズに合わせてEFEM対応や上位通信（SECS/GEM300）、OHTなどにも対応可能です。

偏光子フィルタ集積素子をCCD前面に配置したカメラにより、あらゆる角度の 偏光方位を算出します。

専用治具を用いる事でSiC、GaN、サファイアなど透明ウェハの結晶欠陥評価を短時間で全面分布の評価が可能です。

独自の偏光イメージングサンサーを用いる事で瞬時にポイント測定を行います。

透明体上の膜厚測定にも対応しており、有機半導体膜やマスク基板上のレジスト膜厚の分布評価に最適です。