GLORY

新宿区, Tokyo
Japan
http://www.glory-g.co.jp

株式会社GLORYはHUAXING OPTOの日本代理店です。

HUAXING OPTOは

半導体EPI Waferの研究開発、製造、処理サービスを専門とするハイテク企業てす。

ガリウムヒ砒素(GaAs),リン化インジウム(InP)基板に

化合物半導体エピタキシャルウェハー製造します。

開発チームはエピタキシャルウェーハ構造設計、MOCVD エピタキシャル成長、

多重エピタキシャル、ラスター微細構造の作製及びテストの特性評価などに

20 年近くの経験と技術を積んであります。

国家の主な研究開発プロジェクトを取り組んであるし、

製品の品質と競争力も継続的に改善してあります。

私たちはパートナーと協力し、

豊富なR&D及び生産経験を活用して、

安定した工程、品質、価格的競争力のある

製品とサービスをお客様にご提供します！

InP エピタキシャル基板 (InP Based Epi-wafer)

2インチから4インチまでのInP基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にInPエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています。... More Info Less Info

製品	適用	波長範囲	標準仕様	対応サイズ
InP Based Epi-wafer	FP レーザー	~1310nm; ~1550nm；~1900nm	1310nm 2.5G 1310nm 10G 1550nm	2/3/4 Inch
	DFB レーザー	1270~1630nm	お問い合わせ
	アバランシェフォトディテクター(APD)	1250~1600nm	お問い合わせ
	フォトディテクター(PD)	1250nm~1600nm >2.0um (InGaAS吸収層)； <1.4μm (InGaAsP吸収層)	お問い合わせ

◉ お客様の求めるご要求に合わせた、 InPエピタキシャル基板の構造に対応します。

GaAs エピタキシャル基板 (GaAs Based Epi Wafer)

2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています。... More Info Less Info

製品	適用	波長範囲	標準仕様	対応サイズ
GaAs Based Epi-wafer	赤外線LD	808nm, 980nm and others in 800~1064nm	980nm	2/3/4/6 Inch
	垂直共振器面発光レーザ(VCSEL) RCLED(Resonant Cavity LED	650nm, 850nm, 850~1100nm	850nm	3/4/6 Inch.
	フォトディテクター(PD)	<870nm (GaAs吸収層)	お問い合わせ