光洋サーモシステム

天理市, 奈良県
Japan
http://www.koyo-thermos.co.jp

小間番号5423

SiC、GaN、IGBTパワー半導体向け熱処理装置、VCSEL用、MEMS用熱処理装置を紹介いたします。

SiCパワー半導体向け熱処理装置（活性化、酸窒化、コンタクトアニール）や、
GaNパワー半導体、IGBTパワー半導体向け熱処理装置、MEMS用熱処理装置までご紹介します。
パッケージ技術のFan-Out用（FO-PLP）装置、面発光レーザー（VCSEL）の低温Wet酸化処理における他社には出来ない温度性能をご紹介いたします。6”、8”装置もラインナップしており、アフターサービスも充実しております。
また、当社では各種デモ機も保有しており、プロセステストにも対応していますので、お気軽にご相談ください。

プレスリリース

パワー半導体向け熱処理装置 (20211025)

SiCパワー半導体向け熱処理装置（活性化、酸窒化、コンタクトアニール）や、
GaNパワー半導体、IGBTパワー半導体向け熱処理装置、MEMS用熱処理装置までご紹介します。
パッケージ技術のFan-Out用（FO-PLP）装置、面発光レーザー（VCSEL）の低温Wet酸化処理における他社には出来ない温度性能をご紹介いたします。
6”、8”装置もラインナップしており、アフターサービスも充実しております。
また、当社では各種デモ機も保有しており、プロセステストにも対応していますので、お気軽にご相談ください。

出展製品

Si-IGBTパワーデバイス用熱処理システム　VF-5900

ポリイミドキュア、アニール、酸化、拡散、LP-CVD他各種プロセスに対応。最大16個の大容量FOUPストッカーを備え、短タクトタイムを実現したφ300mmウェーハ対応フラッグシップモデルの縦型炉です。一度に最大100枚まで処理が可能。Si-IGBT向けに薄ウェーハや撓み、反りのあるウェーハの搬送にも対応。当社内製のLGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度制御性、昇降温の速さも特徴。... More Info Less Info

特長・ラージバッチ、最大100枚一括処理可能・最大16個のFOUPストッカー・当社内製のLGOヒータ搭載により、低温から中高温まで優れた温度制御性と速い昇降温を実現・枚葉＋5枚一括搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送・オペレータフレンドリーな当社内製の高機能制御システムコントローラ搭載

SiCパワー半導体　活性化アニール用縦型炉　VF-3000H

1800℃超の超高温熱処理が可能で、SiCパワーデバイス向けの活性化アニール工程に最適な装置です。～φ8インチまで幅広いウェーハサイズに対応し、一度に50枚まで処理が可能。R&D用途から量産ラインにまでお使いいただける縦型炉です。炉内は汚染源を極力排除した当社独自のメタルフリー構造のハードウェアと当社内製の制御システム、コントローラを採用。実験機（ウェーハ搬送無し）も対応可能です。... More Info Less Info

特長・ウェーハ近傍の温度モニターが可能・ミニバッチ、50枚処理、R&Dから量産ラインに対応・～8インチまでで幅広いウェーハサイズに対応・炉内は当社独自のメタルフリー構造・N2ロードロックを標準装備・C to C搬送を備え、高スループットを実現・H2雰囲気でのトレンチラウンド化アニールに対応（オプション）

SiCゲート絶縁膜形成用縦型炉　VF-5100H

二珪化モリブデン（MoSi2）ヒータを採用し、最大1400℃の高温熱処理が可能で、SiCパワーデバイス向けの酸窒化、窒化、酸化処理に最適な縦型炉です。～φ8インチまで幅広いウェーハサイズに対応し、処理枚数も～100枚（φ6インチ）、～75枚（φ8インチ）まで対応可能。炉内は汚染源を極力排除した当社独自のメタルフリー構造のハードウェアと当社内製の制御システム、コントローラを採用しています。... More Info Less Info

特長・～100枚（φ6インチ）、～75枚（φ8インチ）処理、R&Dから量産ラインに対応・～8インチまで幅広いウェーハサイズに対応・炉内は当社独自のメタルフリー構造・枚葉＋5枚一括搬送ロボットによる高速ウェーハ搬送・各種酸化/酸窒化の連続処理が可能　(Wet/Dry酸化、H2アニール、NH3窒化、NOまたはN2O酸窒化) ・チャンバークリーニング機能に対応（オプション）

面発光レーザー（VCSEL）用縦型炉　VF-3000B

当社内製のLGOヒータ搭載による低温度域での抜群の温度制御性・再現性と独自の雰囲気制御で、AlGaAs層の酸化狭窄構造（アパチャ）のサイズのバラツキを低減。VCSEL用ウェット酸化処理に最適な縦型炉です。一度に25枚まで処理が可能で、～φ6インチまでのウェーハサイズに対応します。専用のハードウェア設計と当社内製の制御システム、コントローラを採用。R&D用途から量産ラインにまでお使いいただけます。... More Info Less Info

特長・当社内製のLGOヒータ搭載により、VCSEL用ウェット酸化の低温度域での抜群の温度制御性、再現性を実現・独自の雰囲気制御により、AlGaAs層の酸化狭窄構造（アパチャー）のサイズのバラツキを低減・最大25枚の同時処理が可能でR&Dから量産ラインに対応・～6インチまでの幅広いウェーハサイズに対応・枚葉搬送ロボット搭載による高速ウェーハ搬送・ウェーハ搬送無しの実験機タイプもご用意・使いやすさを追及した当社内製の制御システムコントローラ搭載

コンタクトアニール用ランプアニール装置　RLA-3100、RLA-4100

～φ8インチまで対応可能なランプアニール装置です。ランプハウス上下にハロゲンランプをクロスに配置し、～1200℃の処理が可能。SiCやGaNなどのパワーデバイスのコンタクトアニール工程に最適な装置です。3100シリーズはN2ロードロック対応で低酸素濃度雰囲気での搬送、処理に対応。新製品の4100シリーズは真空ロードロック対応で、更に低酸素濃度雰囲気に対応し、タクトタイムも当社比約33％削減。... More Info Less Info

特長 <3100シリーズ> ・真空対応チャンバーおよびN2ロードロック搬送を標準搭載。高いスループットを実現。 <4100シリーズ> ・チャンバおよび搬送部に真空ロードロックを標準搭載、より低酸素濃度雰囲気での処理を実現し、高いスループットも実現（タクトタイム当社従来比：33%削減） <両シリーズ> ・SiCやGaNウェーハ向けにサセプタ自動載せ替え機能搭載・上下ともハロゲンランプをクロスに設置・6ゾーン制御で簡易に各々のパワー比率が設定可能・放射温度計により非接触でワークの温度を測定し、フィードバック制御が可能

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