スピードファム

綾瀬市,  神奈川県 
Japan
https://www.speedfam.com
  • 小間番号2321


当社は、長年に渡る豊富な実績と経験により、お客様に最適な研磨装置、消耗副資材、検査装置などの統合プロセスを提案いたします

スピードファムグループは、半導体材料であるシリコンをはじめ、GaAs、InP、SiC、サファイア、酸化物、水晶、セラミクス、硝子、金属等の幅広い加工物を対象とした、精密ラップ装置、精密研磨装置、エッジ面取り装置、エッジ研磨装置、超薄物平面加工装置、光学式ウェーハエッジ検査機、および高精度で膜厚平坦化と膜厚均一化を実現する数値制御ドライ平坦化装置を出展しています。
装置に加え、消耗副資材として研磨剤、研磨布、キャリア等を自社開発し、装置・消耗副資材・プロセスの多方面から顧客のニーズにお応えします。


 出展製品

  • エッジ研磨装置&エッジ研削装置
    スピードファムではシリコンウェーハ、酸化物ウェーハ、サファイア・化合物等を高精度に加工する、エッジ研磨装置、エッジ面取装置、エッジ検査装置まで、端面(エッジ)に関する加工装置やお悩みに総合的にお応えします...

  • シリコンウェーハの端面は上べベル、下べべル、端面の3部位から構成されます。 スピードファムエッジ研磨装置タイプX型は、それぞれの部位を個別に高速研磨することで単位面積当たりの生産枚数が高く工場の省力化に寄与します。

    スピードファムのエッジ研磨装置には、6-8インチ用のEP150200IV高速量産仕様の8インチEP-200-XW高速量産仕様の12インチEP-300-XXと、612インチのウェーハサイズに応じた各種装置がございます。 ノッチ内部、オリフラ直線部位の加工も同装置で行います。

    低コストで高速バッチ処置が可能なエッジ研磨装置として、ブラシを使用したエッジ研磨装置をご推奨します。 酸化物ウェーハ、サファイア等のウェーハを最大100枚までスタックが可能なため、コストパフォーマンスが高い装置です。

    インゴットから切り出されたウェーハ(シリコン、LT/LN、サファイア、Sic、GaAs、GaN等)の外周を、研削砥石を使用して高精度に研削加工するウェーハ外周面取装置(エッジ研削装置)もご用意しております。エッジポリッシングの前工程としてのご利用はもちろん、方位精度に優れているため、硬質・もろい加工物も研削が可能です。
  • 両面ラッピング&ポリシング装置
    スピードファムの両面装置はシリコン、SiC、GaN、水晶、サファイア、酸化物、等のウェーハを高精度に平行度・平面度を求めます。...

  • 両面ラッピング・ポリッシング装置は当社独自仕様に加え、お客様の要求仕様に幅広く対応します。対象加工物は、極小、極薄物から大型の硝子基板まで幅広く対応が可能です。加工物の研磨終点検知機能、自動搬送機能等、工場の安定量産と省力化に高く貢献します。
  • 数値制御ドライ平坦化装置
    本装置は気相化学エッチング反応によるシリコンウェーハの平坦化と膜厚均一化処置を行う装置です。研磨布や研磨剤を使用しないため、非接触でダメージの無い加工が出来ます。...

  • 加工前のSOIウェーハ形状を測定し、平坦度分布に準じた加工を行います。ダウンストリームプラズマは、数値制御による非接触のエッチング加工を行いますので、従来とは比較にならない高精度加工が可能です。

  • 片面ラッピング&ポリッシング装置
    FAM=Free Abrasive Machining は1950年代に米国スピードファム社が開発した加工方法です。現在の当社はその開発スピリットを引継き装置とプロセスの適用範囲を大きく進化させてきました。 ハードポリシュ加工、CMP加工は、シリコン、サファイア、パワー半導体、酸化物、等の高精度加工に欠かせない装置に発展しています。...

  • 片面ラッピング・ポリッシング装置は、試験片テスト用のFAM12Bからシリコンウェーハ用のFAM59SPAWまで様々な加工用途に応じた装置サイズを生産しています。 

    特殊サイズ、特殊加工、特殊用途に応じた装置の設計・製作が可能です。

  • 消耗副資材&検査装置
    スピードファムの消耗副資材は、シリコン(φ300mm高精度,φ450mm)、Sic、GaN、Sapphire、酸化物等の両面および片面ラッピング・ポリッシング、エッジ研磨工程で力を発揮します。また、各種測定・検査装置は、簡単操作で品質・歩留まり向上に貢献します。...

  • スピードファムオリジナルのキャリアは、豊富なキャリア素材、幅広いサイズが対応可能です。特にハイブリッドキャリアは、高精度両面加工において力を発揮します。加工物の端面とキャリアホール端面の接触によるチッピング、スクラッチ発生を抑制・金属母材厚みを高精度に制御が可能です。金属汚染対策としてDLC等特殊コーティングキャリアもご用意しております。