走査ゲート顕微法という新しい半導体特性評価手法を是非見に来てください。
千葉大学青木研究室では，原子間力顕微鏡をベースとした走査ゲート顕微法（SGM）という観察手法を用いて，半導体素子における隠れた欠陥や電気的接触状態を非接触・非破壊で評価することが可能となります。この新しい評価手法を是非見に来てください。