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パワーデバイス用の新しい半導体材料であるβ型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は、4.5 eVというSiCやGaNより大きなバンドギャップエネルギーを有するため、省エネルギー性と高耐圧性を併せ持つパワーデバイスの実現が期待されている夢の新材料です。更に、Siと同じように引上げ法によりバルク単結晶を育成出来ることや加工が容易なことから、SiCやGaNに比べ、低価格で高品質なウエハを市場に提供することが可能です。そのため、近年国内外の技術者の注目を集めています。
β-Ga₂O₃の技術開発、ビジネスの両面で世界をリードしているノベルクリスタルテクノロジーでは、既に最大100 mmサイズの高品質なエピタキシャルウエハと基板の製造販売を行っています。2024年度の150 mmサイズのエピタキシャルウエハ・基板の販売開始を目指し、更なる大口径化の開発も進めています。パワーデバイスについては、ショットキーバリアダイオード（SBD）のサンプル提供を開始し、2022年度後半からの販売開始を目標として開発を進めています。本ブースでは、既に販売を開始した100 mmサイズの高品質エピタキシャルウエハ、サンプル提供中のショットキーバリアダイオードの特性、酸化ガリウムとして世界最高耐圧を達成した縦型トランジスタについてご紹介します。
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