法政大学 イオンビーム工学研究所

小金井市緑町,  東京都 
Japan
http://www.hosei.ac.jp/nano/
  • 小間番号1225

GaNパワーデバイス技術について是非ご討論ください。また、高エネルギーイオン注入やRBS等の研究もご紹介しています。

超低オン抵抗、世界最高耐圧と高破壊耐量のGaN自立基板上p-n接合ダイオードの技術情報展示。

イオン注入、RBS等のイオンビーム関連技術の展示。