日本セミラボ

横浜市港北区,  神奈川県 
Japan
http://www.semilab-j.jp
  • 小間番号4514

日本セミラボでは、半導体測定装置の販売及び技術サービスをご提供させて頂いています。

  • ・キャリア・ライフタイム測定装置
  • ・分光エリプソメーター
  • ・結晶欠陥検査装置
  • ・トレンチ溝評価装置
  • ・全自動拡がり抵抗測定装置
  • ・キャリア濃度測定装置
  • ・水銀プローブCV-IV測定装置
  • ・金属汚染評価装置
  • ・非接触CV測定装置             ・Epi(エピ)膜厚測定装置             ・キャリア移動度測定装置                                   
  • ・DLTSシステム
  • ・結晶欠陥可視化装置  
  • ・イオン注入プロセスモニター
  • ・ラマン分光                 ・フォトルミネッセンス
  • ・エピ抵抗率測定装置


 出展製品

  • イオン注入プロセス ドーズモニター PMR
    Photo-modulated Reflectivity Measurement(PMR)は、イオン注入後、アニーリング前の製品用ウェハーのドーズ量をモニタリングできる優れた技術です。...

  • セミラボのPMR-3000は、大幅な改良に支えられており、製品ウェハーの注入プロセスのインラインモニタリングを可能にし、注入システムの迅速で正確、かつ低コストの製造管理や、アニーリング前の注入のインラインモニタリングを実現します。

    また、PMR-3000は、インプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深度測定を非接触・非破壊で測定します。

    測定・評価項目:

    • インプラのドーズ量モニタリング
    • PAI深さ測定
    • ジャンクション深さ測定

    特徴とシステム仕様:

    • ドーズ量
    • ドーズ量範囲:1×1010cm-2~1×1016cm-2
    • エネルギー範囲:100eV~3MeV
    • 注入種:As、B、P、BF2、In、Sb、C(他の種のアプリケーションも開発中)
    • プロセス要件:アニーリング前、注入後の層、表面酸化物
    • SEMI準拠(300mm)の全自動化
    • OHT対応可能
    • ティア1汚染(コンタミネーション)仕様に完全に準拠(クラス1ミニエンバイロメントを装備)
    • 2つのFOUPで最大300mmのウェハーのハンドリングが可能
  • 分光エリプソメーター μSE-3000
    成膜プロセスにおいて、薄膜や多層膜の膜厚値及び屈折率分布を高精度に評価します。 回転補償子型分光エリプソメーターで、紫外領域から近赤外領域までの広い波長領域による測定により、高測定かつ高精度な測定を実現しました。 ...

  • µSE装置は、半導体製品ウェハー上の50µm未満の試験パッド内で薄膜膜厚と光学特性(屈折率N/消衰係数K)を測定するよう設計されています。このようなパラメータを高精度かつ優れた再現性でデータを取得するために用いられている測定方式が、分光エリプソメトリーです。μSE装置では、最適化された分光エリプソメーター(SE)のアームと光学系を用いて、パターン認識機能によりSiウェハーのパターン中の微小Box内を狙い測定を行います。

    ・膜厚、屈折率、消衰係数測定

    ・4~12インチウェハ 対応

    ・ウェハ自動搬送ロボット

    ・パターン認識機能

    ・FOUP, SMIF,オープンカセット対応

    ・SECS, GEM対応

  • 結晶欠陥可視化装置 EnVision
    独自技術(特許)でシリコンウェーハのバンド間フォトルミネッセンス測定を室温下で実現し、15nmレベルの転位欠陥を可視化することに成功しました。 欠陥の可視化、深さ方向の評価、欠陥面密度の定量化によりプロセスのコントロールに貢献できます。 ...

  • 結晶欠陥可視化装置EnVisionでは、15nmレベルの転位欠陥を可視化可能な非破壊・非接触の半導体検査装置です。これまでプロセスエンジニアの経験と勘に頼っていたプロセス作業を、転位欠陥の可視化により定量的にプロセスの最適化が実現できます。表面近傍では確認ができない深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。

    EnVisonは、FEOL(Front End of Line)におけるプロセス起因の結晶欠陥の早期検出や、新製品開発時間の短縮に不可欠な装置であり、ケミカルエッチングやX-TEMの代わりとしてご使用頂けます。

    転位欠陥検査装置En-Visonの特徴とシステム仕様

    • 非破壊・非接触
    • PL法を利用した微細転位欠陥可視化装置
    • 検査範囲:
      • 製品ウェハー
        • 測定ボックス
        • デバイス内
      • ブランケットウェハー/モニターウェハー
    • 検出可能な結晶欠陥:埋め込み拡張欠陥(転位欠陥、酸素析出物、COP、積層欠陥など)
    • 5sec/siteで転位欠陥の面内分布を可視化
    • 深さ方向の転位欠陥の位置も特定可能(DTIの深さ方向ダメージの検証にも有効)
    • 検出限界:<15nm
    • データ取得:
      • 画像セグメンテーション(測定ボックスとデバイス領域)
      • ダイ間検査
      • 画像連結(FOVの拡大)
    • データ分析:
      • 統計ツール
      • 欠陥分類
      • バッチ/ロット再処理
    • データ出力:SECS GEM、KLARF、エクスポート
  • ライフタイム測定装置 WT-2200
    ライフタイムは、バルク半導体材料の特性の1つであり、過剰キャリアが再結合して平衡に達する前に半導体材料中に存在する平均時間を指します。半導体のライフタイムは、結晶格子が完全で汚染がない場合に長くなります。一方で、汚染や導体材料中に不具合がある場合にはライフタイムは短くなります。このためライフタイムをモニターすることが汚染の検出に効果的です。 セミラボでは、シリコンの他に、ワイドギャップ半導体(SiC,GaN)用のライフタイム測定装置も取り扱っています。...

  • WTシリーズは、多数の異なる半導体材料特性評価を実行できる強力で独立型の測定プラットフォームです。ベースシステムには、電源、コンピュータ、オペレーティングソフト、XY測定ステージなど、特性評価を実行するために必要な間接機能がすべて含まれています。各システムは、さらに、ユーザーの要件に応じて、処理機能や測定機能を追加して構成されます。

    パワーデバイス(SiC、GaN)用のライフタイム測定装置も取り扱いしています。

    特徴とシステム仕様:

    • ウェハーのハンドリング:ロボット、最大300mm
    • ドーズ量範囲:1012~5×1015 1/cm2
    • クリーンルームのクラス:クラス1ミニエンバイロメント
    • 処理:
      • ホットチャック/デソーバー
      • 線形コロナチャージャー&ピンチャージャー
      • 光学閃光
      • PTC – 低温RTP
    • 以下の全測定法を1台のマッピング装置に統合可能:

    • マイクロ波誘導フォトコンダクタンス減衰
    • (µ-PCD)&電荷PCD/少数キャリア・ライフタイムマッピング
    • サーフェイス・フォトボルテージ(SPV)/拡散長マッピング
    • 鉄(Fe)濃度マッピング
    • 銅(Cu)濃度測定
    • µ-PCDまたはSPV用高輝度レーザー源
    • 電圧-電荷(V-Q)/酸化物&界面特性評価法
    • 可動イオン測定
    • シート抵抗マッピング用ジャンクション・フォトボルテージ測定
    • イオン注入モニタリング
  • エピ膜厚測定装置 EIR
    EIRシリーズでは、赤外領域の反射率測定により光学モデルを用いてエピ膜厚を更に精度良く測定することが可能です。一般的なFTIR機能を有している一方で、従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の測定も可能になりました。 ・エピ膜厚を高精度で測定 ・ 遷移領域の膜厚測定 ・ FTIR機能 ・ 酸素濃度、炭素濃度の測定 ・ 4 ~ 12 inch ウェハー対応 ・Si , SiC, GaN対応 ...

  • エピ膜測定装置EIR-2500の特徴とシステム仕様

    • ウェハーサイズ:4~12インチ
    • Si, SOI, SiC, SiGe, III Vなど
    • FTIR機能
    • エピ膜厚を高精度測定
    • 遷移領域の膜厚測定
    • 酸素濃度、炭素濃度測定
    • ロードポート:シングルまたはデュアルカセットロードポート
    • 高速マッピングステージ
    • IR反射率測定ヘッドを使用可能(エピ膜厚用)
    • 追加の測定ヘッドを使用可能(分光エリプソメーター、4PPなど)
    • エッジグリップ(オプション)
    • 測定モード:
      • 干渉波形モード:
        • 干渉波形を測定(干渉波形は直接反転法で分析される)。
        • 厚いエピ膜厚と単純な積層フィルムの高速測定用。
      • 反射率モード:
        • 反射率を測定。干渉縞を反射スペクトルで観察(干渉縞は積層の光学モデリングで分析される)。
        • 薄い(<2μm)エピや、多層または勾配プロファイルを持つ複雑な積層用。

    ソフトウェアの特長:

    • Semilab Automation Manager(SAM)で測定サイクルを完全に制御
    • SEMI勧告に基づくレシピベースの操作
    • SECS/GEM、SECSII/GEM、CIMホスト通信規格(CMS、E87、STSなど)に準拠
    • 測定干渉波形の高性能な評価:
      • 干渉波形減算が標準の分析法
      • 薄層の場合は反射スペクトルモデリングを用いた複雑な光学モデルで精度を向上
      • ケプストラム法
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