English - 英語
パワー半導体向け熱処理装置、VCSEL用、FOWPLP用、MEMS用熱処理装置を紹介いたします。
Φ8”対応SiCパワー半導体向け熱処理装置（活性化、酸窒化、コンタクトアニール）や、 GaNパワー半導体、IGBTパワー半導体向け熱処理装置、MEMS用熱処理装置までご紹介します。 最新パッケージ技術のFan-Out用（FO-PLP）装置、面発光レーザー（VCSEL）の低温Wet酸化処理における他社には出来ない温度性能をご紹介いたします。6”、8”装置もラインナップしており、アフターサービスも充実しております。 また、当社では各種デモ機も保有しており、プロセステストにも対応していますので、お気軽にご相談ください。
1900℃超高温熱処理が可能で、SiCパワーデバイス向けの活性化アニール工程に最適な装置です。～φ8インチまで幅広いウェーハサイズに対応。生産量に合わせてMAX.100枚/バッチまで対応可能な装置もラインナップ。プロセスチャンバーの真空パージ機構と高いスループットを実現。
独自の搬送技術で薄ウェーハ、反りのあるウェーハ搬送にも対応可能。
独自のLGOヒータの採用で体温域でも優れた温度制御性を実現。
異なるサイズのウェーハの兼用が可能な装置もラインナップ。
独自のLGOヒータ搭載による低温度域での抜群の温度制御性・再現性と雰囲気制御で、AlGaAs層の酸化狭窄構造（アパチャ）のサイズのバラツキを低減。
水蒸気の高精度な制御も可能。