イーヴィグループジャパン

横浜市保土ヶ谷区,  神奈川県 
Japan
https://www.evgroup.com/ja/

• 小間番号5341

微細化に加え、EVGが長年、得意としてきた3D積層や異種統合等の最先端パッケージング技術・ソリューションをご紹介します。

弊社EV Group(EVG)は、半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイス、およびナノテクノロジーデバイス分野向けに、幅広い製造装置ラインナップと最先端のウェーハプロセスソリューションを提供するサプライヤーです。

主力製品であるウェーハ接合装置、薄型ウェーハプロセス装置、リソグラフィ/ナノインプリントリソグラフィ(NIL)装置に加え、フォトレジストコーター、クリーナー、検査/計測装置なども取り揃え、最先端テクノロジーのリーディングカンパニーとして市場を牽引しています。

ムーアの法則の限界と可能性を巡る様々な議論の中で、半導体デバイスの高性能化と多機能化を実現するパッケージング技術は、今まさにかつてないほど大きな転換期を迎えています。

SEMICON Japan 2022のEVGブースでは、”Scaling Boosters” をテーマに、微細化に加え、EVGが長年、最も得意としてきたMore than Mooreによる3次元積層や異種統合等の新規パッケージング技術・革新的ソリューションをご紹介します。

これまで、ムーアの法則は、数々の微細化技術によって支えられてきました。しかし、従来のスケーリング則に限界が見えつつある今、新しい発想とともに、製造装置レベルでの新技術が求められています。

ウェーハレベルでの接合や異なるサイズのウェーハ接合などは、システムレベルのスケーリングを可能にする重要な技術です。統合プロセスを成功させるためには、1つの工程がその前後に影響する要因を考慮し、相互関係を深く理解することが不可欠です。

 プレスリリース

• EV Group、NANOCLEAVE 層剥離技術により、 先端パッケージングからトランジスタのスケーリングまで3次元実装に革命をもたらす (20221020)

  IRレーザーを用いた劈開技術により、シリコンを介したナノメートル精度のレイヤー・トランスファーを実現。ガラス基板を使用しない先端パッケージング向け薄層3次元積層が可能に。

  オーストリア ザンクト・フローリアン、2022年9月13日 — MEMS、ナノテクノロジーデバイス、半導体製造向けウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group（以下、EVG）は本日、先端ロジック、メモリ、パワーデバイスの製造や半導体先端パッケージングを含み、前工程のための超薄膜積層を可能にする、シリコン向けの革新的な層剥離技術「NanoCleave™」を発表しました。NanoCleaveは前工程と完全に整合し、シリコンに透過可能な波長を持つ赤外線（IR）レーザーを用いた層剥離技術です。赤外線レーザーと特殊な無機層を組み合わせることで、シリコン支持基板から超薄膜やレイヤーをナノメートルの精度で剥離します。

  NanoCleave技術により、モールドと再配列ウェーハを用いたFoWLP（Fan-out Wafer-level Packaging / ファンアウト・ウェーハレベル・パッケージング）や3次元積層IC（3D SIC）用インターポーザーなどの先端パッケージングプロセスでシリコン支持基板を使うことが可能になります。同時に、高温プロセスとの親和性により、3D ICや3次元シーケンシャル実装アプリケーションにおいて全く新しいプロセスフローを実現し、シリコン支持基板上の極薄層ともハイブリッド/フュージョン接合が可能となり、次世代微細化トランジスタ構造における3次元・ヘテロ集積化や異種材料のトランスファー技術に革新をもたらします。

  3次元積層と後工程に有益なシリコン支持基板

  益々増大する相互配線の帯域幅に対応した高性能システムを実現するため、薄ウェーハ処理用支持基板の技術は3次元実装において重要な鍵となっています。既に確立されたデバイス層の積層方法として、「ガラス支持基板を有機接着剤で仮貼り合わせしたあと、紫外線（UV）波長レーザーを用いて接着剤を分解してデバイス層を剥離し、最終製品のウェーハに永久接合する」、という方法があります。しかし、シリコン基板を前提に設計された半導体製造装置では、ガラス基板の処理は難しく、これを可能にするためにはその使用に合わせた装置の改造が必要となり、その費用も高額です。また、有機接着剤は一般的に処理温度が300℃以下に制限されるため、後工程での使用に限定されます。

  しかし、このような温度の制約やガラス基板との相性の問題は、シリコン支持基板に無機剥離層を施すことで解決できます。また、IRレーザーによる劈開はナノメートル単位の精度であるため、従来のプロセスを変更することなく、極薄デバイスウェーハの処理を可能にします。このような薄いデバイス層を積層することで、より広い帯域幅の相互接続が可能になり、次世代高性能システム向けの設計やセグメント・ダイの新しい可能性が開かれます。

  次世代トランジスタ・ノードに求められる新しいレイヤー・トランスファー・プロセス

  同時に、サブ3nmノードのトランジスタロードマップでは、埋め込み電源レール、裏面電力供給ネットワーク、相補型電界効果トランジスタ（CFET）、さらには2次元層状チャンネルなどの新しいアーキテクチャや設計上のイノベーションが求められており、これらすべてに極薄材料のレイヤー・トランスファーが必要になってきます。プロセスの清浄度、材料適合性、高温処理など前工程での製造フローに必要とされる要件に、シリコン支持基板と無機剥離層は対応します。しかし従来、シリコン支持基板は研削、研磨、エッチングなどの工程で完全に除去する必要があったため、デバイス動作層の表面にミクロン単位のばらつきが生じてしまい、先端ノードでの薄層積層には不向きな方法であるとされてきました。

  EVGの新技術「NanoCleave」は、赤外線レーザーと無機の剥離材料を利用し、シリコン基板上でのレーザー剥離をナノメートル精度で可能にするものです。これにより、先端パッケージング向けのガラス基板が不要となり、温度の制限やガラス支持基板との相性の問題を解決できるほか、従来のプロセスを変更することなく、支持基板を介した極薄（シングルミクロン以下）層のトランスファーを前工程で行うことができるようになります。EVGの新しいプロセスはナノメートルの精度を誇り、デバイス層やパッケージの薄化が必要とされる先端半導体デバイスのロードマップをサポートし、ヘテロ集積化の普及を加速するだけでなく、薄層トランスファーの採用や高価なガラス基板を使わないことによるプロセスコストの削減を可能にします。

  EV Groupのエグゼクティブ・テクノロジー・ディレクターのポール・リンドナーは次のように述べています。 「半導体の微細化は、プロセス公差の厳格化によってますます複雑になり、実現が困難になってきています。

  集積密度とデバイス性能をさらに向上するために、業界では新しいプロセスや集積方法が必要とされています。当社の層剥離技術「NanoCleave」は、薄層やダイの積層といった業界で最も差し迫った要求に応える可能性を持ち、半導体の微細化に対するゲームチェンジャーとなるでしょう。

  NanoCleaveは、標準的なシリコンウェーハとウェーハプロセスに対応した汎用性の高い層剥離技術を通じて、お客様の先端デバイスおよびパッケージングロードマップの実現を支援し、ファブでのシームレスなプロセス統合とお客様の時間およびコストの削減を可能にします。」

  独自のIRレーザー技術

  EVGのNanoCleave技術では、シリコンを透過する独自の波長を利用した赤外レーザーをシリコンウェーハの裏面側から照射します。標準的な成膜プロセスによってシリコンスタックにあらかじめ形成された無機剥離層が赤外光を吸収し、その結果、正確に所定の層または領域でシリコンが劈開されます。無機剥離層を使用することで、より精密かつ薄く（有機接着剤の数ミクロンに対して数ナノメートル）剥離層を制御することができます。さらに、無機剥離層は高温プロセス（1000℃まで）に適合するため、有機接着剤が使用できなかったエピタキシャル成長、成膜、アニールなど多くの新しい前工程のアプリケーションでレイヤー・トランスファーが可能になります。

  製品のご購入について

  EVGのNanoCleave layer release technologyはEVG本社にてお試しいただくことが可能です。

  EV GROUP（EVG）について

  EV Group（EVG）は半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイスおよびナノテクノロジーデバイスの製造装置およびプロセスソリューションのリーディングサプライヤーです。主要製品には、ウェーハ接合、薄ウェーハプロセス、リソグラフィ/ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）や計測機器だけでなく、フォトレジストコーター、クリーナー、検査装置などがあります。1980年に設立されたEVGは、グローバルなお客様および世界中のパートナーに対し緻密なネットワークでサービスとサポートを提供します。 EVGに関する詳しい情報はhttps://www.evgroup.com/ja/ をご参照ください。

  お問い合わせ先：

  イーヴィグループジャパン株式会社　マーケティング担当

  TEL: 045-348-0665　E-mail: Marketing+CommunicationsJapan@EVGroup.com

  報道関係者お問い合わせ先

  Contacts:

  Clemens Schütte                                                                       

  Director, Marketing and Communications                               
  EV Group                                                                                 
  Tel: +43 7712 5311 0                                                                
  E-mail: Marketing@EVGroup.com                                         

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• EV Group、ITRIと異種材料統合プロセス開発において協力関係を強化 (20221021)

  オーストリア ザンクト・フローリアン、2022年8月31日 — MEMS、ナノテクノロジーデバイス、半導体製造向けウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group（以下、EVG）は本日、工業技術研究院（ITRI）との協力関係を強化したことを発表しました。ITRIは台湾・新竹に拠点を置く世界有数の応用技術研究機関の1つであり、高度な異種材料統合プロセスの開発に取り組んでいます。

  ITRIは、台湾の産業技術省（DoIT）と経済部（MOEA）の支援を受けて、パッケージ設計、テスト、検証、そしてパイロット生産を網羅する完全なエコシステムを構築するための異種材料統合チップレットシステムパッケージアライアンス（Hi-CHIP）を設立しました。これにより、サプライチェーンの現地化とビジネスチャンスの拡大を目指します。Hi-Chip アライアンスのメンバーとしてEVGは、EVGのLITHOSCALE^®マスクレス露光リソグラフィシステム、EVG^®850DB自動剥離装置、そしてGEMINI^®FBハイブリッド接合装置など、複数台のEVG最先端ウェーハ接合装置およびリソグラフィ装置を提供しました。ITRIの最先端施設にこれらの量産向けプラットフォームを設置することにより、EVGとITRIの共通の顧客が、新しい異種材料統合プロセスの開発を加速させ、研究開発から顧客の生産工場へのスムーズな移行を可能にします。

  半導体製造において、トランジスタのスケーリングを超えた高性能化のための3D垂直積層や異種材料統合（複数の異なるコンポーネントやダイを1つのデバイスまたはパッケージに製造、組み立て、パッケージングすること）は、ますます重要な技術となっています。高度なパッケージングでの高帯域幅相互接続を実現し、システム全体の性能向上が可能となる3Dやヘテロ集積化技術は、人工知能（AI）、自動運転、その他の高性能コンピューティングアプリケーション発展を飛躍的に後押しします。このような利点を受け、（台湾）外務省は、「AIチップ異種材料統合モジュール高度製造プラットフォーム」や「プログラマブル異種材料3次元集積」などの全国規模の研究開発プロジェクトにおいてのリソース支援を積極的に行っています。

  ITRI のElectronic and Optoelectronic System Research Laboratoriesの副所長であるRobert（Wei-Chung）Lo博士は、以下のように述べています。「ITRIは、技術研究開発を通じて産業の発展、経済的価値の創出、社会福祉の向上、といったITRIのミッションの一環として、半導体産業の継続的な発展と成長を可能にするために、新しい3Dおよび異種チップ統合プロセスの開発と、継続的な開発を可能にするサプライチェーン全体での緊密な協力の構築に重点を置いています。EVGの斬新なウェーハ接合技術およびリソグラフィソリューションなど、お客様が工場で使用している装置と同様の完全自動型量産システムをITRIの研究施設に設置することで、お客様はITRIで開発されたプロセスレシピをラボから自社製造工場に即座に移管することができます。」

  EV Groupのエグゼクティブセールス兼カスタマーサポートディレクター、および執行役員メンバーであるハーマン・ヴァルトルは、次のように述べています。「ITRIのような世界をリードする研究機関と連携して、半導体業界の将来のイノベーションを推進する新技術の開発と商業化を加速することに焦点を当てることは、EVGの“発明 – 革新 - 実現（Invent-innovate-implement）というTriple-i（トリプルアイ）哲学の神髄です。」「EVGはこれまでも台湾のお客様やパートナーからのニーズの高まりや直面する課題に対して、長年にわたって応えてきましたが、ITRIとの継続的な協力関係により、世界クラスの研究専門知識へのアクセスが可能になり、台湾でのプロセスサポート基盤がさらに強化されることになります。オーストリア本社にあるヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンターで提供されるサービスに加え、台湾の複数の場所に拠点を置く当社の卓越したプロセスおよびアプリケーションエンジニアリングチームにより、さらに万全のサポート体制を築きます。」

  About ITRI

  Industrial Technology Research Institute (ITRI) is one of the world’s leading technology R&D institutions aiming to innovate a better future for society. Founded in 1973, ITRI has played a vital role in transforming Taiwan’s industries from labor-intensive into innovation-driven. To address market needs and global trends, it has launched its 2030 Technology Strategy & Roadmap and focuses on innovation development in Smart Living, Quality Health, and Sustainable Environment. It also strives to strengthen Intelligentization Enabling Technology to support diversified applications.

  Over the years, ITRI has been dedicated to incubating startups and spinoffs, including well-known names such as UMC and TSMC. In addition to its headquarters in Taiwan, ITRI has branch offices in the U.S., Europe, and Japan in an effort to extend its R&D scope and promote international cooperation across the globe. For more information, please visit https://www.itri.org.tw/english/.

  EV GROUP（EVG）について

  EV Group（EVG）は半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイスおよびナノテクノロジーデバイスの製造装置およびプロセスソリューションのリーディングサプライヤーです。主要製品には、ウェーハ接合、薄ウェーハプロセス、リソグラフィ/ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）や計測機器だけでなく、フォトレジストコーター、クリーナー、検査装置などがあります。1980年に設立されたEVGは、グローバルなお客様および世界中のパートナーに対し緻密なネットワークでサービスとサポートを提供します。 EVGに関する詳しい情報はhttps://www.evgroup.com/ja/ をご参照ください。

  お問い合わせ先：

  イーヴィグループジャパン株式会社　マーケティング担当

  TEL: 045-348-0665　E-mail: Marketing+CommunicationsJapan@EVGroup.com

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• EV Group、ダイ・トゥ・ウェーハによるフュージョン/ハイブリット接合技術のマイルストーンとなる マルチダイ3Dシステム・オン・チップにおけるダイ・トランスファー歩留まり100%を達成 (20221026)

  EVGヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンター ™ において フル・システムでのダイ・トゥ・ウェーハ・トランスファーに成功 プロセスの成熟基点となる新たなステップ

  オーストリア ザンクト・フローリアン、2022年7月27日 — MEMS、ナノテクノロジーデバイス、半導体製造向けウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group（以下、EVG）は本日、サイズの異なる複数のダイをEVGのGEMINI®FB全自動ハイブリッド接合装置を用いて一括トランスファーを行い、完成形の3Dシステム・オン・チップ（SoC）での接合歩留まり100%となる完全ボイドフリーを実証したことを発表しました。これによりEVGはダイ・トゥ・ウェーハ（D2W）フュージョン/ハイブリッド接合技術における飛躍的なブレイクスルーを果たしたことになります。
  これまで、D2W接合の重要な課題であった歩留まり改善は、ヘテロ集積技術の実装コストを削減するための大きなハードルでしたが、今回の成果はそれらを克服するものとなりました。業界の重要なマイルストーンとなるこの実証が行われたEVGへテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンター™（HICC）は、お客様がEVGのプロセスソリューションと専門知識を活用し、システムインテグレーションとパッケージングの進歩によって差別化された新しい製品やアプリケーションの開発を加速させるための支援を目的としています。

  人工知能（AI）、自動運転、拡張/仮想現実（AR/VR）、そして5Gなどといった最先端のアプリケーションでは、生産コストを増大させることなく、広帯域幅に対応した高性能かつ低消費電力デバイスを開発することが求められています。そのため、半導体業界では、さまざまなサイズ（最小加工寸法）・材質の異なる複数のコンポーネントやダイを１つのデバイス、もしくは1つのパッケージ内に集積することで次世代デバイスの性能向上を図る「ヘテロ集積化によるデバイス製造」に注目が集まっています。D2Wによるハイブリッド接合は、ヘテロ集積化を可能にする重要なカギとなる製造技術です。そして、これらのデバイスに対する更なる広帯域化のニーズが高まるにつれて、新しいパッケージング技術も必要とされており、D2Wハイブリッド接合に加え、計測技術の新規開発も必要となってきています。

  EVGの事業開発担当ディレクターであるDr. トーマス・ウーマンは以下のように述べています。「ハイブリッド接合は、従来のパッケージングプロセスとは大幅に異なる製造技術が必要であり、特に清浄度やパーティクルの制御、アライメントおよび計測精度などの面で、前工程の製造方法に非常に近い要件が求められます。」「私たちは、W2Wハイブリッド接合のマーケットリーダーとして、プラズマ活性化や洗浄などの重要な前後工程をサポートする装置の最適化を行うことで、D2Wハイブリッド接合技術の開発と普及を加速させるためのソリューションの幅を広げ続けています。数年来、D2W接合のニーズに対応し、一括式D2W統合フロー用に構成された実績あるGEMINI FBとD2W接合とのダイレクトインターフェースとなる直接配置式D2W接合向けEVG®320 D2Wハイブリッド接合用活性化・洗浄装置、そしてAI、フィードフォワード、フィードバックループを用いてハイブリッド接合の歩留まりをさらに高めるEVG®40 NT2 オーバーレイ検査装置によってEVGは、3D/ヘテロ集積化の普及を促進する完全なる一気通貫のハイブリッド接合ソリューションを提供しています。」

  ハイブリッド接合におけるその接合界面は常に固相であり、ウェーハとダイの電気接続をフェース・トゥ・フェースで可能にする金属パッドは界面に埋め込まれているため、D2Wハイブリッド接合では半導体の前工程製造プロセスと同等の高い清浄度と厳しい製造基準が要求されます。このような業界の流れの中で、ハイブリッド接合におけるアライメントやプロセスの歩留まりを追及する上で、高精度な計測技術がより中心的な役割を担うようになり、D2W接合と計測の工程を一つのプロセスラインで行えるように統合する傾向にあります。

  また、現在、D2Wハイブリッド接合では幾つかの異なったプロセスフローが評価されていますが、それぞれに独自の利点や課題があります。2年前の設立以来、EVGのHICCは、ダイのサイズや厚さ、総積層の高さの他、接合界面のコンタクト構造や密度などのさまざまな要件を考慮しながら、お客様やパートナーの方々が、特定のデバイス構造やアプリケーション固有のニーズを満たすように、D2Wハイブリッド接合プロセスの開発および最適化を行う上で重要な役割を果たしてきました。また、HICCでは、多くの最先端半導体工場と同等のクリーンルームを備えており、D2WおよびW2Wハイブリッド接合プロセスの開発における厳しい要件を独自にサポートすることが可能になっています。

  EV Groupのコーポレート 知的財産・技術開発本部ディレクターを務めるマーカス・ウィンプリンガーは、次のように述べています。「HICCは、D2Wハイブリッド/フュージョン接合などの新しいプロセスソリューションのための卓越したオープンアクセス・インキュベーターの中核として確固たる地位を築いています。」「オーストリアにあるEVG本社、および米国と日本の子会社にある最先端のクリーンルームでの、ハイブリッド接合の開発を高い歩留まりで行えることを保証します。同時に、世界クラスの開発施設であるHICCは、EVGの全自動プロセスソリューションで構成される幅広いポートフォリオを備え、可能な限り迅速かつ実際の製造ラインに近いプロセスの開発の場を提供しています。このようにHICCでは、多様な接合技術、プロセスインテグレーションや計測技術に関する当社の専門知識によって、お客様やパートナーが自社の生産設備にそれらを容易に移管できるよう、差別化されたトータルソリューションの開発が可能となっています。」

  オーストリア本社にあるEVGのヘテロジニアス・インテグレーション・コンピテンスセンターの詳細はこちらをご覧ください：

  https://www.evgroup.com/ja/products/process-services/heterogeneous-integration-competence-center/

  EV GROUP（EVG）について

  EV Group（EVG）は半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイスおよびナノテクノロジーデバイスの製造装置およびプロセスソリューションのリーディングサプライヤーです。主要製品には、ウェーハ接合、薄ウェーハプロセス、リソグラフィ/ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）や計測機器だけでなく、フォトレジストコーター、クリーナー、検査装置などがあります。1980年に設立されたEVGは、グローバルなお客様および世界中のパートナーに対し緻密なネットワークでサービスとサポートを提供します。 EVGに関する詳しい情報はhttps://www.evgroup.com/ja/ をご参照ください。

  お問い合わせ先：
  イーヴィグループジャパン株式会社　マーケティング担当
  TEL: 045-348-0665　E-mail: Marketing+CommunicationsJapan@EVGroup.com