現在の半導体デバイスは、製造装置などのコストが高く、製造過程で有毒ガスを用いることもあり次世代半導体デバイス実現のネックとなっています。杉山研では、誰もが安く買える次世代半導体材料の探索として、スズ(Sn)、銅(Cu)を硫化することで半導体(SnS、Cu2SnS3)を作製し、次世代太陽電池、発光・電子デバイスを作製するための研究開発をしています。 杉山研ではSnS及びCu2SnS3(CTS)を主にスパッタ堆積法と硫化法を用いて作製しており、有毒ガスを用いず、かつ大面積化が可能であることから、工業化に適している作製方法であると言えます。