ＣＶＤプロセスの新技術をご紹介します。
半導体の高集積化に伴い、配線パターンがより微細化しています。
低温で高密度膜が出来る事で、微細TSVの側壁絶縁膜、
パワーデバイスのゲート酸化膜にも使用できます。
独自のプラズマ源で、アッシング、エッチング装置も
低ダメージ処理、低温処理の装置もあります。
低温成膜
・微細TSVの側壁膜に絶縁性の高い膜質をカバレッジ良く成膜出来ます
・基板接合で使用するSiO2は、低吸湿膜でOH基の結合も安定しています。