遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電界効果トランジスタと，レーザー照射を利用したｐ／ｎドーピング技術について紹介します。
２次元層状物質の一種である遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）をもとにした電界効果トランジスタを用いたCMOS構造を作製するため，レーザー照射を利用したｎ型，ｐ型ドーピング制御を行っています。TMDCの一種であるMoTe2では，レーザー強度をコントロールすることで低ドープから高ドープまで制御が可能です。また高強度で照射することで，半導体相から金属相への構造相転移も可能で，ｎ型のオーミックコンタクト形成に利用できます。これらの技術を利用したトンネル電界効果トランジスタ（TFET）の実現についても紹介します。