CMP加工・接合加工を中心に、各種電子デバイスの試作・開発・量産に対して一貫した受託加工サービスを提供しているD-processは更なる高品質化・短納期化・量産対応を推し進めるために、2022年7月に東京都北区に移転しました！
新工場は「本社・赤羽工場」と命名！従来CRの7倍規模で、試作・開発・量産・評価・分析等を集中対応をしております。
高まる電子デバイス用基板の高品質・高精度要求に対応すべく、
D-processではBeyond CMPプロセスとしてイオントリミングによる超高平坦化プロセスを採用。
また接合プロセスにおいても、常温接合・プラズマ活性化接合等、あらゆる接合プロセスの量産対応が可能な体制を整えております。
●D-process対応プロセス
・各種ウェハの調達
・各種成膜方式による絶縁層形成（SiO2、CVD、TEOS等）
・マスク作製・パターンニング（ウェットエッチング/ドライエッチング等）
・バリアメタル形成（Ta、TaN、Ti、TiN、Cr等）
・スパッタ・蒸着・無電解めっきによるシード層形成からCu、Au、Niなど、めっき処理
・CMP受託加工による平坦化加工
・CMPウェーハ前処理を実施した上でのウェハ接合受託加工（常温接合・プラズマ活性化接合・拡散接合・共晶 接合・樹脂接合・テンポラリーボンディング/ディボンディング）
・テラス加工・トリミング加工等のエッジ処理
・裏面研削・CMPによる薄片化
・イオントリミングによる超高平坦化加工
・ダイシングによる小片化
・AFM、段差計、膜厚計、厚み、超音波顕微鏡（C-SAM）、IR、コンフォーカル顕微鏡、パーティクルカウンタ 等各種測定器による品質保証
LSIの製造工程の一つとして培われてきたCMPプロセスですが、近年では他分野でも多岐にわたり応用されはじめてきました。
CMPプロセスは元来、半導体製造におけるリソグラフィプロセスにおいて焦点深度をあわせるため、または埋め込み配線の平坦化に適用されてきました。一方、MEMSやパワーデバイスを中心とした分野でも（常温接合を含む接合前処理を中心とした）CMPプロセスが適用されはじめてきました。 D-processのCMP受託加工では、そのような応用分野における試作・開発～量産を可能としております。LSIやMEMSやパワーデバイス、通信系デバイス、光学系デバイスの枠にとらわれず、平坦化が要求される材料やアプリケーションに対してもプラナリゼーションをお約束致します。
一方、接合受託加工では、最先端の接合装置を導入し、あらゆるアプリケーションに対応可能です。
ますます注目されるパワーデバイス、Micro-LED用基板、通信系デバイスやオプティカルデバイス用途に対して、CMPから常温接合、プラズマ活性化接合、拡散接合、共晶接合、樹脂接合によるテンポラリーボンディング/ディボンディング（TB/DB）に対応、薄片化と超高平坦化加工の試作・開発〜生産・量産対応が可能です。
また常温接合、プラズマ活性化接合などウェーハの直接接合で培ってきた技術をチップの接合にも活かすD-process独自のC2W接合受託加工についても、試作・開発から生産・量産まで対応可能です。
D-processにおけるウェーハ直接接合・C2W接合は当社独自のスラリーを用いたCMP前処理により、ボイドフリーによる高品質接合を達成、超音波顕微鏡（C-SAM）、IRカメラによる品質保証と合わせて提供することが可能です。
D-processでは、CMPや接合受託加工のフロントランナーとして日々技術力向上に努めて参ります。