最先端の半導体製造装置を通じて、半導体産業と人類、社会の発展に貢献します。
MBM™-2000PLUS 3nm+ Nodeデザインルール対応マルチ電子ビームマスク描画装置
MBM™-2000 3nm Nodeデザインルール対応マルチ電子ビームマスク描画装置
EBM-9500PLUS 7nm+/5nm Nodeデザインルール対応電子ビームマスク描画装置
EBM-9500 7nm Nodeデザインルール対応電子ビームマスク描画装置
EBM-9000 10nm Nodeデザインルール対応電子ビームマスク描画装置
EBM-8000P/H 16/14nm Nodeデザインルール対応電子ビームマスク描画装置
EBM-8000P/M 45～20nm Nodeデザインルール対応電子ビームマスク描画装置
NPI-8000 高生産性と高性能を兼ね備えた 10/7nm Node 検査時間:60分／100mm角に対応した最先端マスク検査装置
NPI-8000M NPI-8000の光学系を使用し、8000同様の高性能を実現。 45～14nmの幅広い Nodeへの対応/検査時間:60分のUpgradeも可能としたフレキシブルマスク検査装置
EPIREVO™ G8 高い面内温度均一性と卓越した膜厚均一性を有する150/200mm 枚葉式GaN-on-Si用MOCVD装置
EPIREVO™ S8 低欠陥・高速成長でSiCパワーデバイスの低コスト生産を実現する200mm 枚葉式 SiC Epi 装置
・加速電圧50kV、電流密度3.2A/㎠
・仮想可変ビームサイズ型マルチビームとMBF2.0データフォーマットによる
EUVマスクと複雑な曲線パターンの高速描画
・高速データパスで制御する512×512ブランキングアパーチャアレイ(BAA)
・Die-to-Database、Die-to-Die検査モードを持つ10/7nm Node
マスク対応検査装置
・60分(100mm角)の高速検査
・EUV用含めた多品種先端マスク検査で実績
・Litho Plane Check機能(オプション)、CD-Map
8“枚葉技術
・50μm/時の高速成長とロボットによるウェーハ高温搬送で高いスループット
を実現
・パイロメーターを用いたウェーハ温度モニターによる、ウェーハ内外周の
独立した温度管理
高性能
・膜厚均一性2％（σ）、ドーパント濃度均一性5%（σ）
・低ダウンフォール欠陥密度