次世代半導体「酸化ガリウム」を用いたGaO® デバイスの開発・製造を行っています。
FLOSFIAでは、次世代ワイドバンドギャップ材料として期待されているα型酸化ガリウム(α-Ga2O3)を用いたGaO® デバイスの開発を進めています。
第一弾の製品として、高速スイッチング特性を持つ耐圧600V系のGaO® SBDサンプルの出荷を開始しています。
FLOSFIAでは、高周波動作に最適なワイヤーレス構造の埋め込み型パワーモジュール開発を進めています。
多様なパートナーと連携して「パワーモジュールプラットフォーム」構想を見据えており、すでに連携を開始しています。