GaNパワーデバイス作製・評価で実績があります。また、高エネルギーイオン注入やRBSによる分析等の共同研究も承ります。
超低オン抵抗、世界最高耐圧と高破壊耐量のGaN自立基板上p-n接合ダイオードの技術情報展示。
イオン注入、RBS等のイオンビーム関連技術の展示。