半導体プロセスにおけるウェーハ表面金属汚染分析、膜厚測定、ドーパント濃度、密度、結晶性、配向性、結晶欠陥などX線メトロロジーによるソリューションを展示いたします。
先端デバイス向けに、In-Line高速膜厚測定、非破壊による3次元形状測定装置をご紹介します。今回、新製品の300mmウェーハ用金属汚染分析装置“XHEMIS TX-3000”をラインナップに加えました。当社のX線技術を、先端デバイスから、パワーデバイス、MEMS, RFデバイスなど、幅広い分野へご提供いたします。