イーヴィグループジャパン

横浜市保土ヶ谷区,  神奈川県 
Japan
https://www.evgroup.com/ja/

• 小間番号5839

微細化に加え、EVGが長年、得意としてきた3D積層や異種統合等の最先端パッケージング技術・ソリューションをご紹介します。

弊社EV Group(EVG)は、半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイス、およびナノテクノロジーデバイス分野向けに、幅広い製造装置ラインナップと最先端のウェーハプロセスソリューションを提供するサプライヤーです。

主力製品であるウェーハ接合装置、薄型ウェーハプロセス装置、リソグラフィ/ナノインプリントリソグラフィ(NIL)装置に加え、フォトレジストコーター、クリーナー、検査/計測装置なども取り揃え、最先端テクノロジーのリーディングカンパニーとして市場を牽引しています。

ムーアの法則の限界と可能性を巡る様々な議論がされる中で、半導体デバイスの更なる高集積化と多機能化を実現する先端パッケージング技術は、今まさにかつてないほど大きな転換期を迎えています。

集積化プロセスのための高密度相互接続技術の導入は既に始まっており、新たな技術変革期が訪れています。

SEMICON Japan 2023のEVGブースでは、”Breaking Boundaries” をテーマに、最先端の高精度位置合わせ技術、W2W（ウェーハ・トゥ・ウェーハ）, D2W（ダイ・トゥ・ウェーハ）各種接合技術、ハイブリッド接合などの主要製造技術の差別化の要因を考察し、次世代の集積化シナリオや業界トレンドについてご紹介します。

微細化技術に加え、EVGが長年、最も得意としてきた3次元積層や異種統合等の新規パッケージング技術・革新的ソリューションを体験しに、是非、EVGブース（# 5839）へお越しください。

 プレスリリース

• EV Group、オーストリア本社に新製造V棟（第5製造ライン）を竣工 生産能力を拡大 (20231203)

  3D/ヘテロジニアス・インテグレーション市場の成長により市場拡大 EVGハイブリッド接合やその他の主要プロセスソリューションへの強い需要に対応

  オーストリアザンクト・フローリアン、2023年11月28日　―　MEMS、ナノテクノロジーデバイス、半導体製造向けウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group（EVG）は、本社機能を置くオーストリア本社に、次の拡張段階に向けた建設工事が完了したことを本日発表しました。

  EVGは、装置コンポーネントの製造部門として、新施設「マニュファクチャリングV」（第5製造ライン）を開設し、製造フロアと倉庫スペースを大幅に拡張しました。「マニュファクチャリングV」（第5製造ライン）は、急速に成長する先端パッケージングや3D/ヘテロジニアス・インテグレーション市場をサポートする、EVG のハイブリッド接合およびその他のプロセスソリューションやプロセス開発サービスに対する継続した強い需要に後押しされ、一連の投資計画のうちの最新施設として新設されました。

  今回、EVG の最先端施設「マニュファクチャリングV」（第5製造ライン）として増設されたのは、1,200 平方メートルを超える製造フロア（製造エリアとしては、合計 8,100 平方メートル超）と、1,200 平方メートルの倉庫スペースとなります。また、製造フロアの上階には新たに2フロアのオフィススペースも増床し、並行して、既存の「マニュファクチャリングII 」棟（第2製造ライン）を、EVG の高精度システムの最終組み立ておよびテスト、そして顧客に立ち合いによる装置の出荷前検査のための 9つの新しいテストルームとして改築しました。テストルームの面積を30%増加したことにより、EVG本社のテストルームの総面積は 2,800 平方メートルになりました。

  EVG の「マニュファクチャリングV」（第5製造ライン）の開設は、同社が以前より継続して行う拡張投資計画の前フェーズ「マニュファクチャリングIV」（第4製造ライン）（昨年末に完了）に続くものであり、約 1800 平方メートルの生産スペースと倉庫スペースが追加されたものです。これら2つの増床計画に着手して以来、EVG は生産能力を 60% 以上向上しました。さらに EVGの拡張計画は次のフェーズに入っており、1,400 平方メートルの製造エリア面積と同程度の倉庫スペースを有する現在建設中の「マニュファクチャリングVI」（第6製造ライン）は、2024 年下半期に完成を予定しています。

  EV Groupのエグゼクティブ・オペレーション＆ファイナンシャル・ディレクター兼エグゼクティブ・ボード・メンバーであるヴェルナー・タルナー博士は次のように述べています。「AI、ハイパフォーマンス・コンピューティング、自動運転など、半導体業界を活性化する新しいアプリケーションには、高度なパッケージングにおいて大規模なイノベーションが必要です。 3D/ヘテロジニアス・インテグレーションの主要なプロセス実現要因として、フュージョン/ハイブリッド接合は、半導体製造の新しいスケーリングメカニズムへと変化しています。EVGは、現在、そして将来のお客様の生産能力向上と長期的な製品ロードマップをサポートするために必要なフュージョン/ハイブリッド接合やその他のプロセスソリューションの開発において最先端を走っています。長年にわたる当社製品に対する需要の伸びにより、EVGは進化するお客様のニーズに応えるため、EVG の製造能力とクリーンルーム能力を拡大するために大規模な投資を行ってきました。私たちはこの需要の伸びは今後数年間も続くと予想しています。」

  EV Group (EVG) について： EV Group （ EVG ）は半導体、 MEMS 、化合物半導体、パワーデバイスおよびナノテクノロジーデバイスの製造装置およびプロセスソリューションのリーディングサプライヤーです。主要製品は、ウェーハ接合、薄ウェーハプロセス、リソグラフィ / ナノインプリントリソグラフィ（ NIL ）や計測機器だけでなく、フォトレジストコーター、クリーナー、検査システムなどがあります。 1980 年に設立された EVG は、グローバルなお客様および世界中のパートナーに対し緻密なネットワークでサービスとサポートを提供します。 EVG に関する詳しい情報は www.EVGroup.com をご参照ください。

  お問い合わせ先：イーヴィグループジャパン株式会社　マーケティング担当
  TEL: 045-348-0665　E-mail: Marketing+CommunicationsJapan@EVGroup.com

• EV Group、EVG®850 NanoCleave™ 装置による 革新的なレイヤー・トランスファー技術を大量生産に導入 (20231207)

  赤外線レーザー劈開技術により、シリコン基板からナノメートル精度で極薄レイヤー・トランスファーを実現 先端パッケージングとトランジスタスケーリング向け3D集積化に革命

  オーストリア ザンクト・フローリアン、2023年12月7日— MEMS、ナノテクノロジーデバイス、半導体製造向けウェーハ接合およびリソグラフィ装置のリーディングサプライヤーであるEV Group（以下、EVG）は本日、EVG®850 NanoCleave™ レイヤー剥離装置を発表いたしました。これは、EVG の革新的な NanoCleave 技術を搭載した初の製品プラットフォームです。EVG850 NanoCleaveシステムは、赤外線（IR）レーザーと実証済の量産（HVM）対応プラットフォームで、特別に形成された無機剥離材料を用いて、シリコン支持基板から接合層、成膜層、または成長層をナノメートル精度で剥離することができます。その結果、EVG850 NanoCleave はガラス基板を使用することなく先端パッケージング向けの超薄型チップレット積層が可能となるとともに、先端ロジック、メモリ、パワーデバイス製造を含む前工程での極薄3Dレイヤー積層を行うことができ、将来の3D集積化ロードマップをサポートします。

  EVG850 NanoCleaveは、初号機が既に弊社顧客施設に導入されており、現在20製品近くのデモンストレーションが納入先やEVG本社で顧客やパートナーとともに進行中です。

  3D積層と後工程に有益なシリコン支持基板

  仮接合用有機接着剤を塗布したガラス支持基板上にデバイス層をビルドアップで形成し、紫外線（UV）波長レーザーを用いて接着剤を分解してデバイス層を剥離した後、最終製品のウェーハに永久接合する、という工法は、3D集積の分野で確立されています。しかし、シリコン基板の使用を前提として設計された半導体製造装置ではガラス基板の処理は難しく、これを可能にするためには高度な費用をかけて装置を改造する必要があります。また、有機接着剤は通常、処理温度が300℃以下に制限されるため、その使用は後工程のみに限定されます。

  しかし、このような温度の制約やガラス基板との相性の問題は、シリコン支持基板に無機剥離層を設けることで解決できます。また、IRレーザーによる劈開はナノメートル単位の精度であるため、従来のプロセスを変更することなく、極薄デバイスウェーハの処理を可能にします。このような薄いデバイス層を積層することで、より広帯域幅での相互接続が可能になり、次世代高性能デバイス向けのダイ設計やセグメント化の新しい可能性が開かれます。

  次世代トランジスタ・ノードに求められる薄レイヤー・トランスファー・プロセス

  同時に、サブ3nmノードのトランジスタロードマップでは、埋め込み電源レール、裏面電力供給ネットワーク、相補型電界効果トランジスタ（CFET）、さらには2次元原子層チャネルなどの新しいアーキテクチャや設計上のイノベーションが求められており、これらすべてに極薄材料のレイヤー・トランスファーが必要になってきます。プロセスの清浄度、材料適合性、高温処理など前工程での製造フローに必要とされる要件に、シリコン支持基板と無機剥離層は対応します。しかし従来、シリコン支持基板は研削、研磨、エッチングなどの工程で完全に除去する必要があったため、デバイス動作層の表面にミクロン単位のばらつきが生じてしまい、先端ノードでの薄層積層には不向きな方法であるとされてきました。

  "再剥離可能"なフュージョン接合

  EVG850 NanoCleaveは赤外線レーザーと無機の剥離材料を利用することで、ナノメートル精度でシリコン支持基板からのレーザー劈開を量産環境にて可能にします。この革新的なプロセスにより、ガラス基板や有機接着剤が不要となり、極薄層のトランスファーやそれに続くプロセスで必要とされる前工程との互換が可能になります。最も需要の高い前工程も、EVG850 NanoCleaveの高温互換性（1000 °Cまで）によってプロセスが可能となり、一方、常温でのIR劈開工程ではデバイス層とキャリア基板の完全性が確保されます。また、レイヤー・トランスファー・プロセスにより、シリコン支持基板の研削、研磨、エッチングに伴う高価な溶剤も不要になります。

  EVG850 NanoCleaveは、EVGの業界をリードするEVG850シリーズの全自動仮貼り合わせ/剥離およびシリコン・オン・インシュレータ（SOI）接合装置と同じプラットフォームをベースにしており、コンパクトな設計とHVMで実証されたウェーハ搬送システムを備えています。

  EV GroupのコーポレートR&Dプロジェクトマネージャーであるベルント・タルナー博士は次のように述べています。「40年以上前にEVGが設立されて以来、私たちはマイクロ・ナノファブリケーションにおける新しい技術を探求し、次世代アプリケーションにいち早く対応することをビジョンとして掲げてきました。近年、新しい世代の半導体デバイスにおける性能向上のキードライバーとして、3D/ヘテロ集積化が注目を集めています。これにより、ウェーハ接合技術はPPACt（消費電力、性能、面積、コストと市場投入までの時間）を継続的に改善するための重要なプロセスとして中心的な役割をになうようになりました。EVGの新しいEVG850 NanoCleave 装置により、EVGは仮貼り合わせとフュージョン接合の利点を1つの多用途プラットフォームに統合し、先端パッケージングと次世代スケールのトランジスタ設計・製造の両方において、お客様の将来のロードマップ実現とその強化を支援します。」

  EVG850 NanoCleave レイヤー 剥離装置に関する詳しい情報はこちらをご覧ください。 https://www.evgroup.com/products/bonding/temporary-bonding-and-debonding-systems/evg850-nanocleave.  

  EV GROUP（EVG）について

  EV Group（EVG）は半導体、MEMS、化合物半導体、パワーデバイスおよびナノテクノロジーデバイスの製造装置およびプロセスソリューションのリーディングサプライヤーです。主要製品には、ウェーハ接合、薄ウェーハプロセス、リソグラフィ/ナノインプリント・リソグラフィ（NIL）や計測機器だけでなく、フォトレジストコーター、クリーナー、検査装置などがあります。1980年に設立されたEVGは、グローバルなお客様および世界中のパートナーに対し緻密なネットワークでサービスとサポートを提供します。 EVGに関する詳しい情報はhttps://www.evgroup.com/ja/をご参照ください。

  お問い合わせ先：

  イーヴィグループジャパン株式会社　マーケティング担当
  TEL: 045-348-0665　E-mail: Marketing+CommunicationsJapan@EVGroup.com

  報道関係者お問い合わせ先
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  Clemens Schütte
  Director, Marketing and Communications
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  Principal
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  Tel: +1.415.519.3915
  E-mail: dmoreno@openskypr.com