岩崎通信機

杉並区,  東京都 
Japan
https://www.iwatsu.co.jp/tme/
  • 小間番号7437


高電圧・大電流パワーエレクトロニクス計測を得意としています。新たに、光アイソレーション電流/電圧プローブ発表します。

パワーエレクトロニクス解析を提案します。

１．1.5GHz　光アイソレーション電圧プローブ（SiC/GaNデバイスのハイサイドゲート信号観測に最適）

２．光アイソレーション電流プローブで波形歪みの少ない電流計測

３．広帯域デジタルオシロスコープに搭載したスイッチング損失解析プラグインソフトウエア（カスタマイズ可能）

４．半導体デバイスの静特性/C-V測定を可能とする高電圧・大電流　カーブトレーサシステム

５．高速TLP試験（ESD試験）で静電ノイズの不具合箇所の特性を素早く検出

６．高速400ps　50Vp-p　信号発生器で半導体レーザなどの試験に有効

以上をご紹介する予定です。

 出展製品

  • スイッチング損失解析プラグインソフトウエア　DS-821　(DS-8000　1GHz　5GS/s）
    解析対象は、IGBT、IPM、MOSFETなど 解析内容は、ターンオン、ターンオフ、逆回復、短絡など、測定パラメータに基づいた解析結果を表示 波形データ、測定パラメータのファイルの保存と読み込み機能 高速化した高電圧・大電流信号を高分解能で測定するとともに、デバイスの特長に応じて解析方法を変更することが可能です。 詳細は、https://www.iwatsu.co.jp/tme/ds/ds8000/ds8000_swsoft/　をご覧ください。...

    • 高速化した高電圧・大電流信号を高分解能で測定するとともに、デバイスの特長に応じて解析方法を変更することが可能です。

    主な特長

    DS-8000用スイッチング解析ソフトは、デジタルオシロスコープDS- 8000シリーズのプラグイン・ソフトウェアであり、パワーデバイスの動特性を解析し、解析された波形と結果を画面に表示します。

     
    • 解析対象は、IGBT、IPM、MOSFETなど
    • 解析内容は、ターンオン、ターンオフ、逆回復、短絡など、測定パラメータに基づいた解析結果を表示
    • 波形データ、測定パラメータのファイルの保存と読み込み機能
    • カーソルで指定した範囲の波形データを解析
  • 半導体カーブトレーサ CS-8000シリーズ
    多彩なユニットの組み合わせで、あらゆる工程における特性評価に最適で、次世代の半導体測定に対応します。...

    • 最大5kV、最大2000Aでのハイパワーテスト
    • 正確な微小電流測定　(分解能250fA）
    • 大画面12.1インチのタッチスクリーン
    • 多彩なGATE信号出力機能
    • 充実した温度特性測定オプション
    • プローバーでのハイパワーオンウェハテスト

    CS-8000シリーズ　主な仕様

    メインユニット　モデル名 CS-8020 CS-8200 CS-8500
    HVユニット
    最大ピーク電圧（最大電流） ― 2 kV（20 mA） 5 kV（8 mA）
    測定電圧レンジ（フルスケール） ― 2 kV ～ 50 V 5 kV ～ 50 V
    測定電流レンジ ― 20 mA ～ 50 μA 20 mA ～ 50 μA
    最小測定電流分解能 ― 250 fA 250 fA
    波形 ― DC・パルス DC・パルス
    MVユニット
    最大ピーク電圧（最大電流） 200 V（1 A）
    測定電圧レンジ（フルスケール） 200 V ～ 200 mV
    測定電流レンジ 2 A ～ 5 nA
    最小測定電流分解能 250 fA
    波形 DC（200 mA）、 パルス（2 A）、 SIN、半波、全波
    GATEユニット
    最大ピーク電圧（最大電流） 40 V（1 A）
    測定電圧レンジ（フルスケール） 50 V ～ 1 V
    測定電流レンジ 1 A ～ 5 nA
    最小測定電流分解能 250 fA
    波形 DC・パルス・SIN（50 Hz）
    標準付属品 電源ケーブル、コントロールインタフェース終端器、取扱説明書（冊子＋CD）
    scrollable
     
    HCユニット　モデル名 CS-205 CS-210 CS-220
    最大ピーク電流（最大電圧） 500 A（50 V） 1,000 A（50 V） 2,000 A（50 V）
    測定電圧レンジ（フルスケール） 50 V ～ 200 mV 50 V ～ 200 mV 50 V ～ 200 mV
    測定電流レンジ 500 A ～ 5 A 1,000 A ～ 5 A 2,000 A ～ 5 A
    波形 パルス
    （幅10 μs ～ 1 ms）    		 パルス
    （幅10 μs ～ 500 μs）    		 パルス
    （幅10 μs～ 500 μs）
    標準付属品 電源ケーブル、HC-FIXTURE接続ユニット、取扱説明書
    scrollable
    • HCユニットをご使用の場合は、別途センスケーブルが必要となります。
  • AWG 5060 任意信号発生器/ファンクションジェネレータ
    AWG 5060シリーズは、最高周波数2GHz・最高出力電圧5Vp-pで出力可能です。また、1S/sから6.16GS/sの可変サンプリングレート、垂直分解能16ビットのDACシステムを搭載。高出力の高速信号で波形を忠実に再現いたします。 ...

    • AWG 5060 任意信号発生器/ファンクションジェネレータ

    • 2,4,8チャンネルアナログ出力
    • 最高サンプリング速度6.16GS/s
    • 垂直分解能16ビット
    • 周波数帯域2GHz
    • 最大出力5Vp-p・オフセット電圧±2.5V(50Ω)、
      出力電圧ウィンドウ±5V (10Vp-p)
    • 最大波形メモリ長4Gpts/チャンネル
    • アナログ出力チャンネルに同期した最大32チャンネルのデジタル出力
    • 使いやすいSimple RiderTMタッチスクリーン・ユーザーインターフェース
    • 4台同期運転可能(AWG5068のみ)：
    • 　　　　最大32chアナログ出力＋128chデジタル出力　　
    • 詳細は、https://www.iwatsu.co.jp/tme/sg/awg5060/をご覧ください。

  • 光アイソレーションプローブ､ON電圧プローブ、広帯域ロングGNDリードアクティブプローブ
    高速動作に対応したGaNやSiCなどを搭載したインバータをはじめとする、電力変換・電源回路・電源制御回路において、デバイスのON/OFFスイッチングの実動作信号測定に有効です。　基板検査、高速動作する装置の信号観測に最適なプローブもあります。...

    • 広帯域・高電圧・高CMRRを実現した光アイソレーションプローブ

    高速動作に対応したGaNやSiCなどを搭載したインバータをはじめとする、電力変換・電源回路において、デバイスのON/OFFスイッチングの実動作信号測定に有効です。高電圧のコモンモードノイズが測定に影響するような、ハイサイドのゲート信号測定やシャント抵抗の両端電圧から電流測定などに最適です。

    FF-1500プローブヘッド

    FF-1500プローブヘッド部

    • 最高周波数帯域：1.5GHz
    • 最大同相信号除去比(CMRR)：180dB
    • 最大同相信号入力電圧(DC+ACpeak)：±60kV
    • 先端のプローブチップケーブルの選択により様々な差動入力電圧に対応：
      ±1V(×1), ±10V(×10), ±25V(×25), ±50V(×50),
      【近日発売】±250V(×250), ±500V(×500), ±1000V(×1000), ±2500V(×2500)
    • 50ΩのBNC入力を持つオシロスコープに使用可能

    FF-1500プローブチップ一覧表

    ON電圧測定に特化した広帯域・高電圧差動プローブ（暫定）

    ボードテスタ、装置実装基板の検証に最適な広帯域アクティブプローブ　ATE-2000
    ATE2000アクティブ・プローブは、最大2.5GHzの帯域幅と6mのケーブル長を持ち、自動試験装置（ATE）環境でのダイナミック・インサーキット測定に最適です。ATE2000は、フライング・プローバやその他のXYZ位置決めシステムなどの自動3次元位置決めシステム用に特別に設計されています（特許出願中）。フレキシブルなリファレンス接続リード・アクセサリにより、1GHzを超える高帯域幅の測定が可能です。
    帯域幅の繰り返し測定が可能です。
    ATE2000のオフセットはリモートコントロールで制御できます。PMK Probe Control "ソフトウェアを使用すると、コンピューターからプローブを遠隔操作することができます。

  • TLP/CMTIパルス発生器(ESDパルス発生器）
    TLP（Transmission Line Pulse）試験法は、高速パルスを半導体デバイスや基板などに正確な高電圧を印加し、ESD保護デバイス、保護回路のI-V特性得ることで、静電耐量を数値評価できます。...