オックスフォード・インストゥルメンツ

品川区,  東京都 
Japan
https://www.oxinst.jp/
  • 小間番号5609

オックスフォード・インストゥルメンツは、次世代半導体製造に欠かせない最先端プラズマエッチング&デポジション装置および半導体製造を最適化・効率化する特性評価ソリューションを提供しています。

プラズマテクノロジー

SiC・GaN 次世代半導体への期待と需要増が高まる昨今のマーケットに、SiCの製造工程において、OPEXを1/10まで削減し、環境にも配慮したプラズマ研磨ドライエッチング (Plasma Polishing Dry Etching) PlasmaPro 100を代表した前処理工程に新たなソリューションをご提案いたします。CMP研磨と異なり非接触プロセスで歩留まりを改善、より薄いウェハ加工、そしてインゴッド当たりのウェハ―生産を向上します。

また、従来のリモートプラズマより3倍もの高速を実現した超高速プラズマ原子層堆積(Atomic Layer Deposition) PlasmaPro ASPにより、コンフォーマルなデポジションやチューニング可能な酸化物/窒化物ゲート絶縁膜のデポジションを高速に行うことが可能です。PlasmaPro 100を用いた原子層エッチングとあわせて、AlGaNの高精度膜厚制御を実現します。

原子間力顕微鏡【実機展示】

Jupiter XR(ジュピターエックスアール) は、8inch大型試料対応の原子間力顕微鏡(AFM/SPM)です。Jupiter XRが提供する「広域・高速スキャン」と独自の“blue Drive” 「光熱励振タッピング」により、従来 AFM の常識を覆すスピード(従来AFMの約10倍)と精度で、段差や粗さ測定を可能とします。また、「座標補正機能」・「サーベイ・スキャン」を利用することでナノメートルサイズの欠陥・異物を効率よく検出します。
測定時間にご不満を持つAFMユーザの方、是非Jupiter XRの実機をご覧ください。

共焦点ラマン顕微鏡【実機展示】

共焦点ラマン顕微鏡は、Si/SiC/GaNなどの化学情報を非破壊で測定できるだけでなく、応力やドーピング分布などの情報を2次元・3次元で可視化します。これに加え、alpha300 Semiconductor Editionでは最大300mmのウェハの全面検査が可能となります。

当社の装置は幅広い用途に使用でき、様々な観察手法が可能で観察結果から多くの試料に対する情報を得ることができます。顕微鏡システムとして可能な組み合わせは、共焦点ラマン顕微鏡、原子間力顕微鏡(AFM)、近接場光学顕微鏡(SNOM)、電子顕微鏡(SEM)があります。共焦点ラマン顕微鏡は化学情報を、AFMは表面形状/構造、硬さ/吸着力などの物理特性を、SNOMは光学回折限界を超える高分解能光学像を得ることができます。すべてのWITec装置はお客様のご要望に応じて機能をアップグレードすることができます。

EDS/EBSD

EDS(エネルギー分散型X 線分析装置)は、SEM, TEM, FIB内の試料の元素分析および化学組成分析を行う手法です。EBSD(電子後方散乱回折)分析法は、微細構造の特性評価のための非常に強力なツールです。当社のEDS/EBSDの特長や事例をブースでご紹介します。


 出展製品

  • Jupiter XR
    Jupiter XR は大型試料対応の原子間力顕微鏡(AFM/SPM)です...

  • 原子・分子レベルの「超高分解能」に加え、「高速スキャン」「広域スキャン」を兼ね備えた、基本性能に優れたAFMです。革新的かつ堅牢な最新設計に加え、独自のblue Drive 光熱励振タッピングにより、安定した再現性の高い測定が可能で、ナノラフネス 粗さ測定において、15時間 1000枚の連続測定を可能にします。
  • alpha300 Semiconductor Edition
    共焦点ラマン顕微鏡は、Si/SiC/GaNなどの化学情報を非破壊で測定、応力やドーピング分布などの情報を2次元・3次元で可視化します。...

  • alpha300 Semiconductor Edition共焦点ラマン顕微鏡は、最大300 mm(12インチ)ウェハの化学組成、結晶品質、歪み(ひずみ)、およびドーピング特性評価を高速に実施するため、アクティブ除振機能、光学式プロファイルメータによるフォーカス・ポイントの自動補正機能、および測定手順の標準化や遠隔操作のための包括的な自動化機能などを備えています。
  • PlasmaPro 100
    SiC ウェハ製造に適したプラズマ研磨ドライエッチング装置...

  • プラズマ研磨ドライエッチング装置(PPDE)は、SiC基板研磨工程において CMP の代替技術として低コスト(OPEX 1/10)・低ダメージ・高い安定性・低環境負荷のウェハ製造を実現します。また、PPDE により更に薄いウェハの加工が可能になるため、1 ブールあたりのウェハ生産枚数をアップさせることも可能です。

    当社のPPDE装置は、200 mm までのすべてのウェハに対応し、シングルウェハロードロックまたは最大5プロセスモジュールを用いたクラスター化が可能です。研究開発から量産まで、優れた均一性、高スループット、高精度、低ダメージのプロセスを提供いたします。

  • PlasmaPro ASP
    超高速プラズマALD/ALE システム...

  • 原子層堆積技術において、原子スケールの膜厚制御は時間がかかるという制約がありました。PlasmaPro ASP はそれらの課題を革新的な技術で克服し、コンフォーマルなデポジションやチューニング可能な酸化物/窒化物ゲート絶縁膜のデポジションを高速に行うことが可能です。

    リモートプラズマソースの設計、最適化されたチャンバー形状、イオンエネルギー制御のためのウェハステージバイアスにより、従来のリモートプラズマより3倍もの高速化。環境やランニングコストに優しい少ないプリカーサー使用量を実現。

    また、PlasmaPro 100を用いた原子層エッチングにより、AlGaNの高精度膜厚制御が実現します。