オントゥ・イノベーション・ジャパン

・プロセス製造装置内蔵型 膜厚/OCD測定のマーケットリーダー

・次世代CMPおよびエッチングプロセス制御のための拡張機能搭載

・200WPHを超えるスループット

・独自のハイブリッド測定機能を活用し、20Å以下の極めて薄い膜厚を測定

・RCWAベースの物理モデリングと機械学習アルゴリズムのユニークな組み合わせ

＜アプリケーション＞

・エピ層の厚さ

・トランジションゾーンの厚さ

・エピと基板の抵抗率

・パワーデバイス

・バルク抵抗率

・格子間酸素と置換炭素

・BPSG - BPSG層のホウ素およびリン含有量

・FSG - FSG中のフッ素含有量

・SiN - 窒化ケイ素膜中の水素含有量

・HSQ -酸化物中の水酸基および水素含有量 SOG, FOX

・SiON - SiON中の酸素、窒素、水素含有量

・SiCN - SiCN中の炭素

・SiOC - SiOC中の炭素

・酸素量 - SIMOXプロセスにおける酸素注入量の測定

・酸素析出物 - Si基板中の酸素析出物の測定

＜Dragonfly G3 アプリケーション＞

・マイクロバンプ

・現像・エッチング後

・ラージダイ、マルチチップパッケージ

・再構成/再配列ウェハー

・再配線層（RDL）

・OQA・ダイシング後

・CMOSイメージセンサー（CIS）

・ゲルおよびワッフルパック検査

・マルチプロダクト、マルチグリッド

・MEMS

・ポストプローブ

＜NSX330 アプリケーション＞

・WLCSP

・RF/MEMS

・高精度なトポグラフィー（深さ、厚さの同時測定）

・基板厚み、TTV、貼り合わせウェハー厚さ（キャリア、接着剤、製品ウェハ、総厚）

・VIA深さ（アスペクト比の制約無し）

・研磨後の厚～薄Si厚さ（RST）

・反り

＜アプリケーション＞

半導体 / 化合物半導体（SiC、GaAs、GaN、LiNO3、InP、石英、ガラス、サファイアなど）/ パワーデバイス / 高周波 / MEMS / LED