当研究室では半導体材料に対するエキシマレーザープロセスの研究開発を行っています。特に高繰り返し周波数（数kHz）での深紫外レーザー照射が可能なシステムを用いた表面処理（ドーピング、アニール）プロセスを研究しています。ブースではエキシマレーザー照射によるGa2O3ワイドギャップ半導体表面へのSnドーピング事例、ITOおよびZnO:Al（AZO）透明導電膜のレーザーアニール結晶化の事例を示します。新しい研究室で研究活動が始まったばかりですが、これから研究範囲を広げていきたいと思います。ブースにてご議論やコメントを賜りたく、ぜひお立ち寄りください。