ケミトックス

パワーデバイスの形をなしていない、パワーデバイス用の材料につきましても、評価用のデバイスを試作することで各種試験評価を行うことが可能です。
昨今、次世代パワーデバイス用材料の高機能化の要求が高まる中、開発材料の実力を測る方法としてご好評を頂いているサービスとなります。

弊社では、現行のパワーデバイスに用いられる標準的な材料(半導体チップ、絶縁基板、封止材、接合材)一式を保有しており、製作設備も完備しております。

新規に開発した材料を組み込んだサンプルを製作し、標準品との比較評価を行うことで、材料そのものの性能を評価することができます。

製品の信頼度や故障率を求めるために行われる試験を信頼性試験と呼びます。電子機器・プリント配線板はもちろんのこと、電気自動車などに用いられるパワーデバイスは、研究開発・設計および製造・量産の段階で、 市場の寿命を信頼性評価から予測することが重要となります。信頼性試験を行うことで、製品が設計目標通りの信頼度になっているか、市場の要求品質を満足しているかを評価できます。弊社ではマイグレーション試験やHAST/PCT試験、熱衝撃試験、耐電圧/絶縁破壊試験、絶縁抵抗試験などの一般的な信頼性試験を網羅しております。IPC、JEITA、JIS、JPCAをはじめとする各種規格に基づいた試験の他に、お客様カスタマイズによる試験も可能です。また、試験サンプルの作製や試験後サンプルの故障解析(断面観察・SEM-EDXによる分析)にも対応しております。

パワーデバイスやLED向けのプリント基板からパワーモジュールまでサンプルの形態を問わず様々な対象の放熱性を評価いたします。

【JPCA熱抵抗測定法】
参照規格：
JPCA-TMC-LED02TG(2015）：高輝度LED用電子回路基板放熱特性試験方法ガイドライン
JPCA-TMC-HR02T(2017)：自動車電装及びパワーデバイス用高放熱性電子回路基板試験方法

主な測定対象：プリント配線板
概要：試験対象にヒーターTEGチップを実装し、発熱量でヒーターTRGチップの温度上昇値を除することで熱抵抗を測定します。空冷下、水冷下での測定が可能です。

【過渡熱抵抗測定】
適用規格：JEDEC JESD51-14
主な測定対象：パワーデバイス、TIM材
概要：パワーデバイスのRthjcをJESD 51-14に準拠した方法で測定できます。
いずれの測定もさまざまなサンプル形体に柔軟に対応いたしますので、まずはお気軽にご相談ください。

パワーデバイスの耐圧評価には、パワー半導体チップに試験電圧(バイアス)を印加するバイアス試験を行います。絶縁を司るゲート絶縁膜等の耐圧性能を評価する場合、通常とは逆向きでコレクタ(C)～エミッタ(E)もしくはドレイン(D)～ソース(S)間にバイアスを設けます。 「電流が流れにくい方向に電圧を加えること」を 「逆バイアス」と定義するため、これを「逆バイアス試験」と呼びます。

 逆バイアス試験には、高温下で行う「高温逆バイアス試験」と、高温高湿下で行う「高温高湿逆バイアス試験」があります。いずれの場合でも、高耐圧のパワーデバイスを評価する場合、数百～数千Vもの非常に大きなバイアスを負荷し、なおかつ試験対象となるパワーデバイスの故障状況を検出するため、パワーデバイスに流れる微小電流を精度よく検出する必要があります。

ケミトックスでは「電源」と「微小電流測定器」が一体化した、専用のバイアステスタを用いて逆バイアス試験を行っています。最大の特長は、微小電流の常時モニタを可能としており、試験中のパワーデバイスの故障状況の微細な変化を逃さず検出可能としています。弊社では、最大3,000 Vまで出力可能なバイアステスタを保有しており、特に1,000 V対応のバイアステスタは、160ch保有と国内でもトップクラスの試験能力を有しております。昨今の電気自動車や自動運転システムの開発に伴い、特に厳しい品質基準が要求されており、重要な試験の一つとして位置づけられています。