究極のパワー半導体のダイヤモンド半導体デバイスの研究を行っています。
究極のパワー半導体のダイヤモンド半導体の研究を行っています。GaNに迫るパワーデバイスの作製に成功しました。これまで、困難とされていた大口径ダイヤモンドウェハの結晶成長の成功に加え、トランジスタに必要な独自のドーピング技術を確立することにより、ダイヤモンドパワー半導体デバイスを作製しております。３０００V を超えるオフ耐圧と５０Ωミリの低オン抵抗を実現し、有能出力電力は８７５MW／ｃｍ２を達成しました。パワー回路の研究も開始し、１０ナノ秒を切る高速スイッチング動作も示しました。