ジェイテクトサーモシステム

天理市嘉幡町,  奈良県 
Japan
https://thermos.jtekt.co.jp/
  • 小間番号6220


SiCパワー半導体向け熱処理装置、VCSEL用、FOWPLP用、MEMS用熱処理装置、アフターサービスを紹介いたします。

8”対応SiCパワー半導体向け熱処理装置(活性化、酸窒化、コンタクトアニール)や、
GaNパワー半導体、IGBTパワー半導体向け熱処理装置、MEMS用熱処理装置までご紹介します。
最新パッケージ技術のFan-Out用(FO-PLP)装置、面発光レーザー(VCSEL)の低温Wet酸化処理における他社には出来ない温度性能をご紹介いたします。6”、8”装置もラインナップしており、もアフターサービスも充実しております。

また、当社では各種デモ機も保有しており、プロセステストにも対応していますので、お気軽にご相談ください。


 出展製品

  • SiCパワー半導体 活性化アニール用縦型炉 VF-5300HLP
    イオン注入後の活性化処理用縦型炉。8”100枚処理に対応。搬送室はN2ロードロック、チャンバ内は真空パージ機構を装備。お客様の量産に応える高スループット縦型装置。...

  • 特長
    ・1900℃処理に対応
    ・~8”100枚対応
    ・搬送室N2ロードロック装備
    ・チャンバ内真空パージ機能装備
    ・SMIF、OHT対応
    ・GEM300他、オンライン対応
    ・H2ライン追加で表面アニール、トレンチラウンド化処理にも対応
  • SiCパワー半導体 ゲート酸窒化 VF-5300H
    ゲート絶縁膜形成用NOアニール装置。8”100枚処理に対応。チャンバ内は独自のメタルフリー構造を採用しクリーニング頻度を大幅に削減。お客様の量産に応える高スループット縦型装置。...

  • 特長
    ・1400℃処理に対応
    ・~8”100枚対応
    ・チャンバはSiCと石英のみで構成された当社独自のメタルフリー構造
    ・チャンバクリーニング機能対応
    ・ガスはNOの他、N2O、NH3、H2など各種対応可能
  • SiCパワー半導体 コンタクトアニール RLA-4100-V
    コンタクトアニール用ランプアニール装置。8”に対応し、サセプタへの自動載せ替え機構を標準装備。真空ロードロック搬送により酸化を抑制、製品特性とスループットを向上させている。お客様の量産に応える高スループットランプアニール装置。...

  • 特長
    ・1200℃処理に対応
    ・~8”対応
    ・サセプタ自動載せ替え機構装備
    ・真空ロードロック搬送採用で酸化を抑制
    ・従来装置に比べ33%スループット向上(当社装置比)
  • Siパワー半導体 IGBT用裏面電極アニール VF-5900
    8”で豊富な実績を持つSi-IGBT用裏面電極アニールを300㎜量産装置に採用。反りの大きなウェハ搬送にも対応している。当社独自のLGOヒータを採用し、低温での優れた温度制御性能を有する。...

  • 特長
    ・300㎜ 100枚処理に対応
    ・最大16個のFOUPストッカ搭載
    ・反りの大きなTAIKOウエハに対応可能
    ・低温で優れた温度制御が可能なLGOヒータを採用
    ・酸化、拡散、LP-CVD、ポリイミドキュア等のプロセスにも幅広く対応。
  • VCSEL(面発光レーザー) WET酸化炉 VF-3000B
    VCSEL用酸化炉でベストセラー縦型装置。低温で優れた温度制御性・再現性を有するLGOヒータを搭載、AlGaAs層の酸化狭窄構造(アパチャ)サイズの面内、バッチ内、バッチ間バラツキを低減している。...

  • 特長
    ・業界シェアトップ装置
    ・低温で優れた温度制御性・再現性を有するLGOヒータを搭載、AlGaAs層の酸化狭窄構造(アパチャ)サイズのバラツキを低減。
    ・~6” 25枚処理が可能
    ・自動搬送ロボット搭載でCtoC搬送に対応