①深い活性化とダブルパルスプロセスにも対応した、高性能レーザアニール装置
適用例) IGBT裏面活性化
独自のダブルパルスプロセスを可能にした固体レーザと長波長レーザを搭載したハイブリットアニール装置です。 固体レーザの特徴である、高繰り返し高パルスエネルギ安定性、メンテナンスフリー、コンパクト設計を備え、半導体分野の次世代プロセスの開発を促進します。
②次世代パワーデバイス用レーザアニール装置
適用例) SiCオーミック・コンタクト生成、活性化など
非照射面の温度上昇を抑えつつ、メタル-SiC界面を高温に加熱し、OPTSWING※（独自の高速スキャン方式）でオーミック・コンタクトの生成を実現します。