高品質化合物半導体単結晶層の成長を低コスト・低環境負荷で実現可能なスパッタエピタキシー装置をご紹介します。
本研究室では、各種化合物半導体単結晶層の多層薄膜の形成を目的とした「低コスト・マルチターゲット型スパッタエピタキシー装置」の開発を行っています。
【スパッタエピタキシー装置の開発】（特許取得済み）
・多品種・多層薄膜の連続形成が可能（マルチターゲット方式）
・単一電極方式を採用
・ターゲット材料を連続的に交換可能
・到達圧力は10 -8 Pa以下
・1200°Cの高温成長が可能
・真空チャンバーの小型化を実現
・低環境負荷の成長法
【Ga系ターゲットの開発】
・平板型Gaターゲットを実現
・不純物が極めて少ない
【高品質化合物半導体単結晶層の成長】
・GaN系／ZnO系／ZnS系／多元系窒化物半導体単結晶層の成長
・不純物ドープ化合物半導体単結晶層の成長