ナプソン

装置特徴

• 面内マルチポイント測定機能
• （プログラムパターン：Max.217 点測定）
• *任意のマルチポイントパターン設定可能
• 2Ｄ/3Ｄマッピング画像表示
• （マッピング画像はJPEG 形式で保存）
• SPCチャート表示機能
• 測定データはCSV ファイル形式で出力可能
• 国際標準規格：ASTM F653 準拠

測定対象

• ウエハサンプル；シリコンベア、化合物ウェハ、
• 化合物上エピ、SiC など
• 各種薄膜サンプル；半導体プロセス膜、メタル膜、ITO 膜など
• その他
  • *原則として測定レンジ内であれば、どんなサンプルでも測定可能

対象サイズ

サイズ：22～8 インチ、156mm □
厚さ：300300～1,500μm
＊12 インチはオプション対応

測定仕様
測定対象

• 半導体・太陽電池材料関連（シリコン、ポリシリコン、SiCなど）
• 新素材・機能性材料関連（カーボンナノチューブ、DLC、グラフェン、銀ナノワイヤーなど）
• 導電性薄膜関連（メタル、ITOなど）
• 拡散サンプル シリコン系エピタキシャル、イオン注入サンプル
• その他（※お問い合わせください）

対象のサイズ
～8インチ、または～156ｘ156mm

測定レンジ
［抵抗率（比抵抗）］1m～300kΩ･cm
［シート抵抗］ 5m～10MΩ/sq

製品サイズ
W330×D600×H340mm
約36kg

プローブ間にサンプルを入れるだけで、測定可能な簡易測定器

• 抵抗率、シート抵抗測定モードを簡単に切り替え
• JOGダイアルによる簡単な測定条件設定
• ※プローブ固定式のため、ご購入の前に数タイプのプローブから1タイプを選択となります。

測定対象

• 半導体・太陽電池材料関連（シリコン、ポリシリコン、SiCなど）
• 新素材・機能性材料関連（カーボンナノチューブ、DLC、グラフェン、銀ナノワイヤーなど）
• 導電性薄膜関連（メタル、ITOなど）
• 化合物半導体関連（GaAs Epi, GaN Epi, InP, Gaなど）
• その他（※お問い合わせください）

対象のサイズ
～8インチ、または～156✕156mm

測定レンジ
［抵抗率］1m～200Ω·cm
（*全プローブタイプの合計範囲／厚さ500umの場合）
［シート抵抗］10m～3kΩ/sq
（*全プローブタイプの合計範囲）

製品サイズ
W220×D325×H210mm
約6.5kg

レーザー光照射で非接触のため、サンプルにダメージを与えない

電池式（単3乾電池）なので持ち運びに便利
ボタンを押すだけでPN判定可能

測定対象

• 半導体
• 太陽電池材料関連（シリコン、ポリシリコン、SiCなど）

対象のサイズ
*レーザー光照射が可能なサイズのサンプルなら判定可能

測定レンジ
PN判定可能なサンプル抵抗率範囲：0.02～5,000Ω･cm程度